申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-05-27

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111788687A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20200414 CN PCT/CN2020/084600","20200414 CN PCT/CN2020/084603","20200427 CN PCT/CN2020/087295","20200427 CN PCT/CN2020/087296"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.09.14#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：公开了3D存储器件和用于形成其的方法的实施方式。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在衬底的第一侧处相继形成停止层、第一多晶硅层、牺牲层、第二多晶硅层和电介质叠层。形成穿过电介质叠层、第二多晶硅层、牺牲层和第一多晶硅层垂直地延伸、在停止层处停止的沟道结构。形成穿过电介质叠层和第二多晶硅层垂直地延伸、在牺牲层处停止的开口，以暴露牺牲层的部分。穿过开口利用在第一多晶硅层和第二多晶硅层之间的第三多晶硅层代替牺牲层。从与衬底的第一侧相对的第二侧移除衬底，在停止层处停止。

主权项：1.一种用于形成三维3D存储器件的方法，包括：在衬底的第一侧处相继形成停止层、第一多晶硅层、牺牲层、第二多晶硅层和电介质叠层；形成穿过所述电介质叠层、所述第二多晶硅层、所述牺牲层和所述第一多晶硅层垂直地延伸、在所述停止层处停止的沟道结构；形成穿过所述电介质叠层和所述第二多晶硅层垂直地延伸、在所述牺牲层处停止的开口，以暴露所述牺牲层的部分；穿过所述开口利用在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层之间的第三多晶硅层代替所述牺牲层；以及从与所述衬底的所述第一侧相对的第二侧移除所述衬底，在所述停止层处停止。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于形成三维存储器件的方法

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