申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2017-04-25

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN107306131B

主分类号：H03L5/00(20060101)

分类号：H03L5/00(20060101);H03K19/0175(20060101)

优先权：["20160425 US 15/138,091"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.16#授权;2017.11.28#实质审查的生效;2017.10.31#公开

摘要：公开了消除热点生成的功率器件的尺寸调节。将参数与较低的阈值相比较。参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流。第一晶体管是场效应晶体管，并且第一晶体管是功率器件。如果至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则多个开关被控制为将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合。

主权项：1.一种调节功率器件的装置，包括：第一晶体管，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；至少一个补充晶体管；多个开关，其被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管；以及比较电路，其被布置成：将参数与较低阈值相比较，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压或者与所述第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项；以及如果所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合。

全文数据：消除热点生成的功率器件的尺寸调节技术领域[0001]本公开涉及功率器件，更具体地涉及消除功率器件中的热点。背景技术[0002]一线性调节器被布置成根据输入电压生成调节的输出电压。线性调节器可以包括功率传递兀件，其如同作为分压器的一部分的可变电阻器操作，其中可变电阻被连续地调节以保持恒定的输出电压。将输出电压与参考电压相比较，以向功率传递元件产生控制信号其中控制信号驱动功率传递元件的栅极或基极。n’发明内容[0003]总体上，本公开涉及将参数与较低阈值相比较的过程。参数是与第一晶体管相关联$栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流。第一晶体管是场效应晶体管，并且弟=晶体官是功率器件。如果至少一个补充晶体管中的一个或多个稱合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则多个开关被控制为将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合。B[0004]在一些示例中，一种装置包括:第一晶体管，其中第一晶体管是场效应晶体管，并且其中第一晶体管是功率器件;至少一个补充晶体管;被布置成选择性地将至少一个补充晶2管中的一个或多个耦合到第一晶体管的多个开关；以及比较电路，其被布置成:将参数与较低阈值相比较，其中参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一个；以及如果至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则控制多个开关将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合。[000幻、在一些不例中，一种方法包括:将参数与较低阈值相比较，其中参数是与第一晶体管^关联P栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一个，其中第一晶体管是场效应晶体管，并且其中第一晶体管是功率器件；以及如果至少一个补充晶体管中的一个y多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则控制多个开关以将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合，其中多个开关被布置成选择性地将至少一个补充晶体管中的=个或多个耦合到所述第一晶体管。[°°"6]在:些示例中，一种设备包括:用于将参数与较低阈值相比较的装置，其中参数是二晶体管!目关联_极_极电压或与第—晶体管相关联的漏极电流中的至少-个，了、中^一5体菅是场效应晶体管，并且其中第一晶体管是功率器件；用于控制在至少一个体f巾的—个或多个親合到第—晶体管并且参数小于较刪讎情况下控制多个二或多个补充晶体管中的至少—个从第—晶体管去_合_置，其中多个开关被布置成选择性地将至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管。細瞧下刪継巾_了本公通—个齡个测關节。本公开的其他特征、目的和优点将从说明书和附图以及权利要求书中显而易见。附图说明[0008]参考以下附图描述本公开的非限制性和非穷举性示例。[0009]图1是示出装置的示例的框图。[0010]图2是示出可以由图1的装置的示例采用的处理的示例的流程图。[0011]图3是包括图1的装置的示例的线性电压调节器的示例的框图。[0012]图4是示出图3的线性电压调节器的示例的布局的框图。[0013]图5是示出根据本公开的各方面布置的图3的线性电压调节器的示例的框图。具体实施方式[00M]将参考附图详细描述本公开的各种示例，其中在遍及几个视图中相同的附图标记表示相同的部件和组件。参考各种实施例并不限制本公开的范围，本公开的范围仅由所附权利要求的范围限制。此外，在本说明书中阐述的任何示例不旨在是限制性的，而仅阐述本公开的很多可能的示例中的一些。[0015]在整个说明书和权利要求书中，除非上下文另有规定，否则以下术语至少取决于本文中明确相关的含义。以下确定的含义不一定限制术语，而只是提供术语的说明性示例。“一个”、“一”、“该”的含义包括复数引用，“在……中”的含义包括“在……中”和“在……上”。在本文中使用的短语“在一个实施例中”或“在一个示例中”尽管可以但是不一定指代相同的实施例或示例。类似地，当多次使用时，如本文所使用的短语“在一些实施例中”或“在一些示例中”尽管可以但是不一定指代相同的实施例或示例。如本文所使用的，术语“或”是包括性的“或”运算符，并且等同于术语“和或”，除非上下文另有明确规定。“部分基于”、“至少部分地基于”或“基于”不是排他性的，并且允许基于未描述的附加因素，除非上下文另有明确规定。在适当的情况下，术语“栅极”旨在是涵盖“栅极”和“基极”的通用术语；术语“源极”旨在是涵盖“源极”和“发射极”的通用术语；以及术语“漏极”旨在是涵盖“漏极”和“集电极”的通用术语。术语“耦合”至少表示连接的项目之间的直接电连接或通过一个或多个无源或有源中间装置的间接连接。术语“信号”是指至少一个电流、电压、电荷、温度、数据或其他信号。[0016]图1是示出装置100的示例的框图。装置1〇〇包括第一晶体管110、至少一个补充晶体管120、多个开关130和比较电路140。第一晶体管110是场效应晶体管，并且第一晶体管110是功率器件。多个开关130被布置成选择性地将至少一个补充晶体管120中的一个或多个耦合到第一晶体管110。[0017]第一晶体管110被布置和或偏置为在线性操作区域中操作线性操作区域也称为欧姆操作区域或三极管操作区域）。比较电路140被布置为将参数与较低阈值相比较。参数是与第一晶体管110相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管110相关联的漏极电流。比较电路140还被布置成使得如果至少一个补充晶体管中的一个或多个被耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则比较电路140控制多个开关130以将至少一个补充晶体管120中的至少一个从第一晶体管110去稱合。[0018]此外，在一些示例中，比较电路140还被布置成将参数与较高阈值相比较。在这些示例中，比较电路140还被布置成使得如果少于所有的至少一个补充晶体管120被耦合到第一晶体管110并且参数大于较高阈值，则比较电路140控制多个开关130以将至少一个补充晶体管120中的至少一个耦合到第一晶体管110。[0019]多个开关1加选择性地耦合至少一个补充晶体管或将至少一个补充晶体管12〇与第一晶体管110耦合的方式在不同的示例中不同。在一些示例中，多个开关130通过将至少一个补充晶体管120中的一个或多个与主晶体管110并联耦合来将至少一个补充晶体管120中的一个或多个耦合到第一晶体管110。[0020]图2是示出可以由图1的装置100的示例使用的处理250的示例的流程图。在开始框之后，比较电路例如，图1的比较电路140将参数与较低阈值相比较251。该参数是与第一晶体管例如，图1的第一晶体管110相关联的栅极到源极电压VCS或与第一晶体管相关联的漏极电流Id。第一晶体管是场效应晶体管，并且第一晶体管是功率器件。[0021]接下来，比较电路做出关于至少一个补充晶体管中的一个或多个是否与第一晶体管并联耦合并且参数是否小于较低阈值的确定252。如果比较电路确定至少一个补充晶体管中的一个或多个与第一晶体管并联耦合并且参数小于较低阈值，则比较电路控制多个开关例如，图1的多个开关13〇以将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合25¾。多个开关被布置成选择性地将至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管。然后，该处理前进到返回框，而无论是否恢复其他处理。如果在判定框252处确定为否定，则该处理移动到返回框。[0022]图3是包括线性电压调节器301和负载375的装置300的示例的框图。装置300可以用作图1的装置100的示例。线性调节器301包括第一晶体管310、至少一个补充晶体管320、多个开关33〇和比较电路340,它们分别是图1的主晶体管11〇、至少一个补充晶体管12〇、多个开关130和比较电路图140的示例。线性调节器301还可以包括输出电容器Cout、分压器36〇、误差放大器370和电压参考38〇。在一个示例中，第一晶体管31〇包括晶体管M0。至少一个补充晶体管320包括晶体管Ml到Mn例如，用于三个补充晶体管的Ml到M3。多个开关330包括开关331到33n例如，用于三个开关的：331到333,其中一个开关针对每个辅助晶体管Ml到Mn。在一个示例中，比较电路340包括比较器341和342、计数器343、转换器345以及电压参考381和382。分压器360可以包括电阻器件361和电阻器件362。[0023]线性调节器3〇1被布置成从输入电压Vin提供调节的输出电压Vout。负载375由输出电压Vout驱动。电容器Cout是用于线性调节器301的输出电容器。在一个示例中，晶体管M0被布置成作为用于线性调节器的功率传递装置来操作。尽管图3中未示出，在一些示例中，晶体管M0被构建在温度传感器周围和或围绕温度传感器。在其他示例中，晶体管咖靠近温度传感器，但不在温度传感器周围。分压器36〇可以被布置成从输出电压v〇ut提供反馈电压VFB。电压参考380可以被布置成提供参考电压Vref。误差放大器370可以被布置成有效地将反馈电压VFB与参考电压Vref相比较，并且利用电压Vgate来驱动晶体管㈣的栅极，以便提供用于调节输出电压Vout的负反馈。[0024]电压参考381和382可以被布置成分别生成较高阈值电压VUT和较低阈值电压几丁。VGS是第一晶体管310的栅极到源极电压，VGS是图1的装置1〇〇的参数的示例。转换器345可以被布置成将差分电压VGS其中差分电压VGS是晶体管M0的栅极到源极电压转换为单端电压（例如，被参考至接地）。比较器341可以被布置成将电压VGS与较高阈值电压VUL相比较，并且比较器342可以被布置成将电压VGS与较低阈值电压VLT相比较。在一些示例中，计数器343与比较器341和342—起布置，使得计数器343具有当电压VGS低于VLT时递减并且当电压VGS高于VUT时递增的数字计数值。在一个示例中，VLT是第一晶体管的温度稳定的工作点（例如，1.4V，并且VUT是2.0伏特。这些值仅作为示例的方式给出，并且在本公开的范围和精神内，在其它示例中可以使用VLT和VUT的其它合适的值。[0025]在一些示例中，计数器343被布置成基于计数器343的数字计数值来提供数字计数信号C0UNT0到COUNTn例如，用于三位信号的COUNTO到C0UNT2，其中一位针对每个补充晶体管M0到Mn。信号COUNTO到C0UNT2是由图1的装置的比较电路140提供的控制的示例。每个信号COUNTO到COUNTn控制相应开关331到33n的断开和闭合例如，用于三个开关的331到333，其中一个开关针对每个补充晶体管M0到Mn。[0026]补充晶体管Ml到Mn与开关331到33n—起被布置成自适应地调节主晶体管M0的尺寸。当开关331闭合时，晶体管Ml与主晶体管M0并联耦合，有效地增加晶体管M0的尺寸。当开关331从闭合到断开时，晶体管Ml从晶体管M0去耦合，有效地减小晶体管M0的尺寸。类似地，当开关331闭合时，晶体管M2与主晶体管M0并联耦合，有效地增加晶体管M0的尺寸。晶体管M0被有效地分成晶体管M0到Mn，其中开关331到33n可以被接通和断开以选择性地调节晶体管M0的尺寸。[0027]当晶体管M0的物理尺寸减小时，温度稳定点TSP移动到较低的漏极电流。在一些示例中，只要VGS大于或等于约1.4V，线性调节器300就不会降低到TSP以下。线性调节器301测量第一晶体管310的VGS，并且适应第一晶体管310的尺寸，以便维持VGS几乎始终大于约1.4V的TSP。当满足VGS几乎总是大于1.4V的条件时，线性调节器301返回到这样的操作条件，其中如果局部存在更多电流则这会加热更多，这反过来将减小负载电流Iload并且因此倾向于将热量均匀地分布在功率器件M0的整个有源区域上。装置300被布置成通过在装置降低到TSP以下时减小第一晶体管310的尺寸，自适应地改变第一晶体管310的尺寸以保持装置300总是处于正温度稳定点。这可以防止在晶体管M0上产生热点。另一方面，为了实现第一晶体管M0和或与晶体管M0并联的其它器件所需的热阻，以在特定的VDS电压下实现特定的输出电流，当需要时增加晶体管M0的尺寸以实现特定的热阻。[0028]在线性调节器中，特别是当功率传递器件是具有相对薄的栅极氧化物厚度的晶体管时，存在热点生成的风险，其中热点是器件的单个点上的过热，其足够热以潜在地损坏器件。在其中功率传递晶体管具有相对薄的栅极氧化物的线性调节器的功率传递晶体管中，功率耗散可能非常大。在功率传递晶体管中，在TSP之下，在晶体管较热的晶体管的某些区域中，一些电流可能开始增加。由于VGS在整个栅极局部电流上是恒定的，所以在一个点中，电流可能会增加，从而引起局部较高的温度，这反过来又吸引更多的电流，从而产生正反馈反应，其由于晶体管的单点的过热而导致器件局部损坏。线性调节器301被布置成防止这种热点的生成，而没有过度地增加装置面积。[0029]在线性调节器301中，在一些示例中，比较电路340被布置成将功率传递晶体管M0的VGS与较低阈值电压VLT和较高阈值电压VUT相比较。在一些示例中，较低电压阈值略高于TSP，而较高电压阈值显著很高，但不会高至引起晶体管M0过热。[0030]图3示出了装置300的示例，其中将晶体管M0的VGS与较高阈值和较低阈值相比较，开关331到33n相应地断开和闭合。在其他示例中，代替VGS，将晶体管M0的漏极电流与较高阈值和较低阈值相比较，当漏极电流低于较低阈值时递减计数值，并且当漏极电流在较高阈值以上时增加计数值。这些示例和其他示例在本公开的范围和精神内。[0031]在一些示例中，晶体管M0到Mn是DM0SFET。然而，本公开不限于此，并且在各种示例中，晶体管M0到Mn可以是M0SFET、NM0SFET、PM0SFET等。另外，虽然图3在字面上示出了其中n=3的示例，但是在一些示例中，n可以是诸如6、7、8或9等的其他值，并且在各种示例中，n可以是任何合适的值。这些示例和其他示例在本公开的范围和精神内。此外，在一些示例中，计数器343包括振荡器，并且在其他示例中，计数器343不包括振荡器。[0032]图4是示出图3的线性调节器的示例的布局的框图。[0033]在一些示例中，诸如第一晶体管的主要器件例如，图3的晶体管MOVGS电压几乎总是在大于约1.4V的TSP的值处工作。除了器件电流低于约30mA，VGS电压保持在TSP以上。然而，为了确保没有热点损坏主要功率器件，主要器件例如，第一晶体管）的示例围绕温度传感器被构建，如图4所示。在负载电流低于TSP但是VDS电压非常高的情况下，可能会产生热点。然而，在一些示例中，如果主要器件围绕温度传感器被构建，则任何热点将被检测到并且引起器件的关闭，从而保护主要器件免于由于过热而被损坏。[0034]一旦主要器件己达到其TSP，晶体管M0可以开始在有源器件M0上均匀地分配热量。在一些示例中，随着其他器件例如，至少一个补充晶体管，例如图3的晶体管Ml到Mn被接通，补充晶体管也将遵循在新的有源区域上均匀分布其热量，从而没有产生热点的风险，因此不需要单独的温度传感器，因为每个补充晶体管的温度将非常接近主要器件的温度。[0035]尽管图3示出了其中第一晶体管310是功率传递晶体管的线性调节器的示例，然而本公开不受此限制，并且其它示例在本公开的范围和精神内。下面关于图5讨论线性调节器的一个示例，其中第一晶体管是与功率传递晶体管不同的器件。[0036]图5是示出可以用作图3的装置300的示例的装置500的示例的框图。装置500以与装置3〇〇相似的方式操作，除了如下。装置500还包括晶体管MP和电压源590。在装置500中，第一晶体管510的示例是晶体管MP，而不是功率传递晶体管M0。电压源590被布置成提供电压VGP。晶体管MP被布置成作为预调节器操作。晶体管MP具有耦合到输入电压Vin的漏极、耦合到电压VGP的栅极和耦合到主晶体管M0的漏极的源极。晶体管MP与晶体管M0串联耦合。[0037]代替被布置为选择性地将补充体管Ml到Mn与功率传递晶体管M0并联稱合，开关531到53n和补充晶体管Ml到Mn被布置成选择性地与预调节晶体管MP并联耦合，如图5所示。[0038]在一些示例中，电压源590是耦合到接地的齐纳二极管。然而，本公开不限于此，并且可以在本公开的范围和精神内使用电压源590的其他示例。[0039]虽然上面己经在线性电压调节器的上下文中讨论了装置100、300、500的一些示例，但是本公开不限于线性调节器。可以采用其中第一晶体管110在线性操作区域中工作的任何合适的应用，包括诸如预调节器、运算放大器、驱动器、放大器等应用。[0040]下面描述本公开的一些示例。[0041]示例1.一种装置，包括:第一晶体管，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件;至少一个补充晶体管;多个开关，被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体耦合到所述第一晶体管；以及比较电路，被布置成:将参数与较低阈值相比较，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与所述第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项；以及如果所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合。[0042]示例2.示例1的装置，其中所述多个开关被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合。[0043]示例3.示例1至2的任何组合的装置，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压，并且其中所述较低阈值大约为所述第一晶体管的温度稳定的工作点。[0044]示例4.示例1至3的任何组合的装置，其中所述比较电路还被布置成:将所述参数与较高阈值相比较；以及如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联稱合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。[0045]示例5.示例i至.任何组合的装置，其中所述第一晶体管是DMOSFET、PM0SFET或NM0SFET中的至少一项。[0046]示例6.示例1至5的任何组合的装置，还包括温度传感器，其中所述第一晶体管围绕所述温度传感器，并且其中所述第一晶体管和所述至少一个补充晶体管中的多个补充晶体管被布局为网格，在所述网格中，所述第一晶体管实质上在所述网格的中心，并且所述至少一个补充晶体管中的每个补充晶体管在所述网格中布置在所述第一晶体管附近。[0047]示例7.示例1至6的任何组合的装置，其中所述第一晶体管被布置成在线性操作区域中操作，并且其中所述装置是线性调节器、预调节器、运算放大器、驱动器或放大器中的至少一项。[0048]示例8.示例1至7的任何组合的装置，其中所述第一晶体管被布置成作为线性电压调节器的功率传递元件操作。[0049]示例9.示例1至8的任何组合的装置，其中所述第一晶体管被布置成作为与线性电压调节器的功率传递元件串联耦合的预调节晶体管操作。[0050]示例10.示例1至9的任何组合的装置，其中所述比较电路还被布置成:将所述参数与较高阈值相比较；以及如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管与所述第一个晶体管并联耦合。[0051]示例11.示例10的装置，其中所述比较电路包括计数器，所述计数器被布置成基于数字计数值来控制所述多个开关，其中所述比较电路被布置成使得所述数字计数值在所述参数小于所述较低阈值时递减，并且使得所述数字计数值在所述参数大于所述较高阈值时递增。[0052]示例12.示例11的装置，其中所述比较电路还包括第一比较器和第二比较器，其中所述第一比较器被布置成将所述参数与所述较高阈值相比较，所述第一比较器被布置成向所述计数器提供第一比较器输出，使得所述第一比较器输出在所述参数超过所述较高阈值时被置位，所述第二比较器被布置成向所述计数器提供第二比较器输出，使得所述第二比较器输出在所述参数小于所述较低阚值时被置位。[0053]示例13•—种方法，包括:将参数与较低阈值相比较，其中所述参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；以及如果至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值，则控制多个开关以将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合，其中所述多个开关被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。[0054]示例14•示例I3的方法，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压，并且其中所述较低阈值大约为所述第一晶体管的温度稳定的工作点。[0055]示例15•示例13至14的任何组合的方法，还包括:将所述参数与较高阈值相比较；以及如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。[0056]示例16•示例15的方法，其中控制所述多个开关以将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合包括:基于数字计数值来控制所述多个开关，以及将当所述参数小于所述较低阈值时递减所述数字计数值，并且其中控制所述多个开关以将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管包括：当所述参数大于所述较高阈值时递增所述数字计数值。[G057]示例17•—种设备，包括：用于将参数与较低阈值相比较的装置，其中所述参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；用于在至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值时控制多个开关将一个或多个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合的装置，其中所述多个开关被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。[0058]示例18.示例17的设备，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压，并且其中所述较低阈值大约为所述第一晶体管的温度稳定的工作点。[0059]示例19.示例17至18的任何组合的设备，还包括:用于将所述参数与较高阈值相比较的装置；以及用于在少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值时控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管的装置。[0060]示例20•示例19的设备，其中用于控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合的装置包括:用于基于数字计数值来控制所述多个开关的装置，以及用于当所述参数小于所述较低阈值时递减所述数字计数值的装置，并且其中用于控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管的装置包括用于当所述参数大于所述较高阈值时递增所述数字计数值的装置。[0061]己经描述了各种示例。这些和其它示例在所附权利要求的范围内。

权利要求：1.一种装置，包括：第一晶体管，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；至少一个补充晶体管；多个开关，其被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管;以及比较电路，其被布置成：将参数与较低阈值相比较，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压或者与所述第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项；以及'如果所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个开关被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压，并且其中所述较低阈值近似为所述第一晶体管的温度稳定的工作点。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述比较电路还被布置成：将所述参数与较高阈值相比较；以及如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补^晶体管耦合到所述第一晶体管。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管是DMOSFET、PMOSFET或NMOSFET中的至少一项。6.根据权利要求1所述的装置，还包括温度传感器，其中所述第一晶体管围绕所述温度传感器，并且其中所述第一晶体管和所述至少一个补充晶体管中的多个补充晶体管被布局为网格，在所述网格中，所述第一晶体管实质上在所述网格的中心，并且所述至少一个补充晶体管中的每个补充晶体管在所述网格中被布置在所述第一晶体管附近。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管被布置成在线性操作区域中操作，并且其中所述装置是线性调节器、预调节器、运算放大器、驱动器或放大器中的至少一项。8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管被布置成作为线性电压调节器的功率传递元件工作。9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管被布置成作为与线性电压调节器的功率传递元件串联耦合的预调节晶体管工作。10.根据权利要求1所述的装置，其中所述比较电路还被布置成：将所述参数与较高阈值相比较;以及如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述比较电路包括计数器，所述计数器被布置成基于数字计数值来控制所述多个开关，其中所述比较电路被布置成使得所述数字计数值在所述参数小于所述较低阈值时递减，并且使得所述数字计数值在所述参数大于所述较髙阈值时递增。12.根据权利要求11所述的装置，其中所述比较电路还包括第一比较器和第二比较器，其中所述第一比较器被布置成将所述参数与所述较高阈值相比较，所述第一比较器被布置成向所述计数器提供第一比较器输出使得所述第一比较器输出在所述参数超过所述较高阈值时被置位，所述第二比较器被布置成向所述计数器提供第二比较器输出使得所述第二比较器输出在所述参数小于所述较低阈值时被置位。13.一种方法，包括：将参数与较低阈值相比较，其中所述参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或者与所述第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；以及如果至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值，则控制多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合，其中所述多个开关被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压，并且其中所述较低阈值近似为所述第一晶体管的温度稳定的工作点。15.根据权利要求13所述的方法，还包括：将所述参数与较高阈值相比较；以及如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。ie.根据权利要求15所述的方法，其中控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合包括:基于数字计数值来控制所述多个开关，以及当所述参数小于所述较低阈值时递减所述数字计数值，并且其中控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管親合到所述第一晶体管包括：当所述参数大于所述较高阈值时递增所述数字计数值。17.—种设备，包括：用于将参数与较低阈值相比较的装置，其中所述参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或者与所述第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；用于在至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值的情况下控制多个开关将一个或多个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合的装置，其中所述多个开关被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。18.根据权利要求I7所述的设备，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压，并且其中所述较低阈值近似为所述第一晶体管的温度稳定的工作点。19.根据权利要求17所述的设备，还包括：用于将所述参数与较高阈值相比较的装置；以及用于在少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值的情况下控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管的装置。20.根据权利要求19所述的设备，其中用于控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合的装置包括:用于基于数字计数值来控制所述多个开关的装置，以及用于当所述参数小于所述较低阈值时递减所述数字计数值的装置，并且其中用于控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管的装置包括:用于当所述参数大于所述较高阈值时递增所述数字计数值的装置。

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