申请/专利权人：住友电气工业株式会社

申请日：2018-02-23

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111263833B

主分类号：C30B29/40(20060101)

分类号：C30B29/40(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.16#授权;2020.07.03#实质审查的生效;2020.06.09#公开

摘要：一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。

主权项：1.一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下，所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者，所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下的硫原子、浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下的锡原子和浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下的铁原子中的任一种，并且在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述磷化铟晶体基板具有5×10-6以上且5×10-5以下的平均残余应变。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 住友电气工业株式会社 磷化铟晶体基板

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