申请/专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2020-07-07

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111540673B

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/56(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/58(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.16#授权;2020.09.08#实质审查的生效;2020.08.14#公开

摘要：本发明涉及一种半导体器件的形成方法。所述形成方法在包括顶金属层的半导体基底上制作富硅氮化硅的过程中，一方面，利用CVD工艺，采用适合的工艺气体反应生成富硅氮化硅作为半导体器件的钝化层，另一方面，为了避免含硅气体残留于顶金属层表面而在后续热处理工艺中与顶金属层反应，通过控制CVD工艺的参数，避免含硅气体残留，可以提高CVD工艺的反应效率，避免CVD反应不充分而导致含硅气体在顶金属层表面聚集，减小含硅气体腐蚀顶金属层而导致顶层金属表面被腐蚀的风险，有助于提升顶金属层的质量以及半导体器件的性能。

主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成顶金属层；以及，将所述半导体基底放入CVD腔室，并执行CVD工艺，在所述半导体基底上形成富硅氮化硅作为钝化层；其中，控制所述CVD工艺的参数，以避免残留的含硅气体在后续热处理工艺中与所述顶金属层反应；所述CVD工艺包括初始阶段和稳定阶段，其中，在所述初始阶段，所述CVD腔室内的工艺气体的量逐渐增加，在所述稳定阶段，所述CVD腔室内的工艺气体的量保持稳定，控制所述CVD工艺的参数的方法包括：设置所述初始阶段和所述稳定阶段的射频偏置功率一样高，以确保在CVD的初始阶段，含硅气体和含氮气体能充分反应，而避免在顶金属层和钝化层的界面残留含硅气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 半导体器件的形成方法

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