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【实用新型】DFN功率集成半导体器件_盐城芯丰微电子有限公司_202020444913.3 

申请/专利权人:盐城芯丰微电子有限公司

申请日:2020-03-31

公开(公告)日:2020-10-16

公开(公告)号:CN211700244U

主分类号:H01L23/31(20060101)

分类号:H01L23/31(20060101);H01L23/367(20060101);H01L23/467(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.10.16#授权

摘要:本实用新型公开一种DFN功率集成半导体器件,其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片,所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片,此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔,所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离;所述芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板,此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部,此凸起部嵌入环氧封装体内。本实用新型DFN功率集成半导体器件增加了有效散热面积,提高散热效果,加快了散热的速度,也防止环氧封装体与芯片分层,从而阻止水汽进入器件中。

主权项:1.一种DFN功率集成半导体器件,其特征在于:包括位于环氧封装体(1)内的芯片(2)、一端与芯片(2)电连接并分别位于芯片(2)左右两侧的若干个左引脚(3)、右引脚(4),所述左引脚(3)、右引脚(4)各自的另一端从环氧封装体(1)中延伸出,所述芯片(2)前后端面均通过导热胶层(5)粘接有金属散热片(6),所述芯片(2)左右端面均通过导热胶层(5)粘接有左金属散热片(7)和右金属散热片(8),此左金属散热片(7)和右金属散热片(8)分别开有若干个供左引脚(3)、右引脚(4)嵌入的左通孔(9)和右通孔(10),所述左通孔(9)、右通孔(10)分别与左引脚(3)、右引脚(4)之间通过环氧封装体(1)绝缘隔离;所述芯片(2)的上表面通过导热胶层(5)贴合有一均热板(13),此均热板(13)与芯片(2)相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部(14),此凸起部(14)嵌入环氧封装体(1)内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 盐城芯丰微电子有限公司 DFN功率集成半导体器件

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