申请/专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司

申请日：2020-08-25

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN211700292U

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.16#授权

摘要：本实用新型涉及一种半导体器件结构，包括：衬底；半导体层，形成于所述衬底的一侧；钝化层，形成于所述半导体层远离所述衬底的一侧；电极，形成于所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述电极包括源极、栅极和漏极；所述栅极包括形成于所述钝化层内的阶梯型栅极结构；所述阶梯型栅极结构包括至少两层由下至上依次排布的栅极金属层，且相邻的两层栅极金属层中的上一层栅极金属层临近漏极的边缘在所述半导体层的上表面的正投影，位于下一层栅极金属层临近漏极的边缘在所述半导体层的上表面的正投影与漏极之间。本申请有效地减小了栅边缘的电场，避免栅边缘产生电场集中的现象，同时避免表面态捕获电子导致电阻增加，提高了器件的稳定性。

主权项：1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：衬底；半导体层，形成于所述衬底的一侧；钝化层，形成于所述半导体层远离所述衬底的一侧；电极，形成于所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述电极包括源极、栅极和漏极；所述栅极包括形成于所述钝化层内的阶梯型栅极结构；其中，所述阶梯型栅极结构包括至少两层由下至上依次排布的栅极金属层，且相邻的两层栅极金属层中的上一层栅极金属层临近漏极的边缘在所述半导体层的上表面的正投影，位于下一层栅极金属层临近漏极的边缘在所述半导体层的上表面的正投影与漏极之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州捷芯威半导体有限公司 半导体器件结构

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