申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
申请日:2019-04-08
公开(公告)日:2020-10-20
公开(公告)号:CN111798898A
主分类号:G11C11/4063(20060101)
分类号:G11C11/4063(20060101);G11C29/56(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开
摘要:一种DRAM芯片及其参数测试方法,所述DRAM芯片包括:基底;位于所述基底上的DRAM存储电路;位于所述基底上的时钟产生电路,所述时钟产生电路用于在外部自动测试机台对DRAM芯片进行参数测试时向DRAM存储电路提供高频时钟信号。本发明的DRAM芯片提高了全速测试的效率和测试的精度。
主权项:1.一种DRAM芯片,其特征在于,包括:基底;位于所述基底上的DRAM存储电路;位于所述基底上的时钟产生电路,所述时钟产生电路用于在外部自动测试机台对DRAM芯片进行参数测试时向DRAM存储电路提供高频时钟信号。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长鑫存储技术有限公司 DRAM芯片及其参数测试方法
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