申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2018-09-03

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN111801622A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101)

优先权：["20180319 US 62/645,090"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.26#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：一种在半导体晶片制造过程中确定图案中的OVL的方法包括从经形成于所述晶片中的至少两个不同层中的计量目标中的单元捕获图像，其中所述目标的部分相对于不同层中的对应部分在相反方向上偏移。可使用多个不同波长的辐射来捕获所述图像，每一图像包含+1及‑1衍射图案。通过从所述多个波长中的每一者的+1及‑1衍射级减去相对像素，可为每一图像中的相应像素确定第一差分信号及第二差分信号。可基于同时分析来自多个波长的所述差分信号来确定用于所述相应像素的OVL。接着可将用于所述图案的OVL确定为所述相应像素的所述OVL的加权平均值。所述加权可根据所述OVL对波长变化的灵敏度。

主权项：1.一种在半导体晶片制造过程中确定图案中的OVL的方法，其包括：使用多个不同波长的辐射接收从经形成于所述晶片中的至少两个不同层中的计量目标捕获的图像，其中所述目标的部分相对于不同层中的对应部分在相反方向上偏移，每一图像包含+1及-1衍射图案；通过从所述多个波长中的每一者的每一图像中的所述+1及-1衍射级减去相对像素来确定所述目标的相应部分的第一差分信号及第二差分信号；基于来自所述多个波长的所述差分信号来确定所述相应像素的OVL；将整体VL确定为所述相应像素的所述OVL的加权平均值，其中所述加权是根据归因于波长变化的所述OVL的灵敏度的变化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 使用多个波长的叠加测量

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