申请/专利权人:首尔伟傲世有限公司
申请日:2019-07-09
公开(公告)日:2020-10-20
公开(公告)号:CN111801806A
主分类号:H01L33/22(20060101)
分类号:H01L33/22(20060101);H01L33/10(20060101);H01L33/00(20060101);H01L21/027(20060101);H01L33/24(20060101)
优先权:["20180709 KR 10-2018-0079626","20181008 KR 10-2018-0119585","20181015 KR 10-2018-0122759"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.07.30#实质审查的生效;2020.10.20#公开
摘要:发光元件包括:基板;多个突出图案,从所述基板突出;第一半导体层,设置于所述基板上;活性层,设置于所述半导体层上;及第二半导体层,设置于活性层上,其中,各突出图案包括:第一层,与所述基板形成为不分离的一体,并且从所述基板的上表面突出;及第二层,设置于所述第一层上,利用与所述第一层不同的材料构成。
主权项:1.一种发光元件,包括:基板;多个突出图案,从所述基板突出;第一半导体层,设置于所述基板上;活性层,设置于所述第一半导体层上;及第二半导体层,设置于所述活性层上,其中,各突出图案包括:第一层,与所述基板形成为不分离的一体,并且从所述基板的上表面突出;及第二层,设置于所述第一层上,利用与所述第一层不同的材料构成,其中,当彼此相邻的两个突出图案的中心之间的间距称为峰间距时,所述突出图案的直径和所述峰间距的比是0.8至1.0。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 首尔伟傲世有限公司 发光元件及该发光元件的制造方法
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