申请/专利权人:华邦电子股份有限公司
申请日:2020-03-24
公开(公告)日:2020-10-20
公开(公告)号:CN111798899A
主分类号:G11C11/419(20060101)
分类号:G11C11/419(20060101);G11C11/412(20060101)
优先权:["20190404 JP 2019-071739"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.06.17#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开
摘要:提供一种半导体装置,本发明的SRAM,包含:P型井区域PW_1、PW_2,沿着第1方向延伸,形成有下拉用晶体管以及存取用晶体管;N型井区域NW,沿着第1方向延伸,形成有上拉用晶体管;第1金属配线M1,在N型井区域NW上沿着第1方向延伸,与N型井区域电气连接;以及第2金属配线M3,沿着与第1方向正交的第2方向延伸,与N型井区域NW内形成的一对上拉用晶体管的共同SD区域电气连接。本发明所提供的半导体装置,能够将不同的电压施加在上拉用晶体管的源极与基极,并且改善写入存储单元的裕度。
主权项:1.一种半导体装置,其特征在于,包含存储单元阵列,所述存储单元阵列由多个存储单元形成,所述存储单元包含锁存器电路以及一对N型存取用晶体管,所述锁存器电路包含一对P型上拉用晶体管以及一对N型下拉用晶体管,所述半导体装置包含:P型井区域,沿着第1方向延伸,形成有所述下拉用晶体管以及所述存取用晶体管;N型井区域,沿着所述第1方向延伸,形成有所述上拉用晶体管;第1配线层,在所述P型井区域以及所述N型井区域上,沿着与所述第1方向正交的第2方向延伸,与所述N型井区域内形成的所述上拉用晶体管的共同SD区域电气连接;以及第2配线层,在所述N型井区域上沿着所述第1方向延伸,与所述N型井区域电气连接。
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