申请/专利权人：意法半导体(图尔)公司

申请日：2020-04-03

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN111799254A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：["20190405 FR 1903659"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本公开的实施例涉及针对静电放电保护的器件。第一导电类型的半导体衬底被涂覆有第二导电类型的半导体层。第二导电类型的掩埋区域形成在半导体衬底与半导体层之间的界面。第一导电类型的第一阱和第二阱提供在半导体层中。第二导电类型的第二区域在第一阱中形成。第二导电类型的第三区域在第二阱中形成。第一阱、半导体层、第二阱和第三区域形成第一横向晶闸管。第二阱、半导体层、第一阱和第二区域形成第二横向晶闸管。掩埋区域和半导体衬底形成齐纳二极管，该齐纳二极管设置横向晶闸管的触发电压。

主权项：1.一种针对静电放电的保护器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的半导体层，所述半导体层涂覆所述半导体衬底；所述第二导电类型的掩埋区域，所述掩埋区域在所述半导体衬底与所述半导体层之间的界面处，具有大于所述半导体层的掺杂水平的掺杂水平；所述第一导电类型的第一阱和第二阱，在与所述半导体衬底相反的表面处的所述半导体层中形成；所述第二导电类型的第二区域，在与所述半导体衬底相反的所述表面处的所述第一阱中形成；以及所述第二导电类型的第三区域，在与所述半导体衬底相反的所述表面处的所述第二阱中形成；所述器件的第一连接端子，被连接到所述第一阱和所述第二区域；所述器件的第二连接端子，被连接到所述第二阱和所述第三区域；其中所述第一阱、所述半导体层、所述第二阱和所述第三区域形成第一横向晶闸管；其中所述第二阱、所述半导体层、所述第一阱和所述第二区域形成第二横向晶闸管；并且其中所述掩埋区域与所述衬底的PN结形成具有雪崩电压的齐纳二极管，所述雪崩电压设置所述保护器件的触发阈值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体(图尔)公司 针对静电放电保护的器件

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