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【发明公布】磁记录介质及磁存储装置_昭和电工株式会社_202010269127.9 

申请/专利权人:昭和电工株式会社

申请日:2020-04-08

公开(公告)日:2020-10-20

公开(公告)号:CN111798876A

主分类号:G11B5/82(20060101)

分类号:G11B5/82(20060101);G11B5/65(20060101)

优先权:["20190409 JP 2019-074315"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.09.10#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要:本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质100包括依序设置的基板1、衬底层2及磁性层3,磁性层3包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构,且晶界部的体积分数在25体积%~50体积%的范围内。磁性粒子相对于基板1具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm~0.36nm范围内,或0.60nm~0.72nm范围内的物质。

主权项:1.一种磁记录介质,包括:基板;衬底层,设在所述基板上;及磁性层,设在所述衬底层上,所述磁性层包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构,且所述晶界部的体积分数在25体积%~50体积%的范围内,所述磁性粒子相对于所述基板具有c轴取向,所述晶界部包含晶格常数在0.30nm~0.36nm范围内,或0.60nm~0.72nm范围内的物质。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 昭和电工株式会社 磁记录介质及磁存储装置

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