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【发明公布】拓扑磁结构及其制备方法、拓扑磁结构调控方法及存储器_华南师范大学_202010597022.6 

申请/专利权人:华南师范大学

申请日:2020-06-28

公开(公告)日:2020-10-20

公开(公告)号:CN111799369A

主分类号:H01L43/02(20060101)

分类号:H01L43/02(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);H01L43/12(20060101);G11C11/16(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.11.03#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要:本发明提供一种拓扑磁结构材料,包括层叠设置的铁电衬底、缓冲层和具有磁性斯格明子结构的多层膜结构,多层膜结构包括重金属层、磁性层和非磁性层,磁性层设于重金属层与非磁性层之间,重金属层与非磁性层的材料不同,拓扑磁结构材料具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性,并且拓扑磁结构材料存在界面Dzyaloshinskii‑Moriya相互作用。本发明还提供一种拓扑磁结构,为拓扑磁结构材料自具有磁性斯格明子结构的多层膜结构沿层叠方向向下进行点阵刻蚀得到的纳米点阵列,拓扑磁结构能够通过电场的变化在斯格明子、条带畴和涡旋畴这三种拓扑态之间转变。本发明还提供一种包括拓扑磁结构的存储器。本发明还提供一种拓扑磁结构的制备方法及调控方法。

主权项:1.一种拓扑磁结构材料,其特征在于,包括层叠设置的铁电衬底、缓冲层和具有磁性斯格明子结构的多层膜结构,所述缓冲层设于所述铁电衬底与所述具有磁性斯格明子结构的多层膜结构之间,所述具有磁性斯格明子结构的多层膜结构包括重金属层、磁性层和非磁性层,所述磁性层设于所述重金属层与所述非磁性层之间,所述重金属层与所述非磁性层的材料不同,所述拓扑磁结构材料具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性,并且所述拓扑磁结构材料存在界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华南师范大学 拓扑磁结构及其制备方法、拓扑磁结构调控方法及存储器

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