申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2020-06-30

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN111799275A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/1159(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11597(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.01#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：一种存储单元、存储器及存储器的制备方法，其中，存储单元，包括：依次设置的第一沟道层、隧穿层、电荷俘获层、反铁电薄膜层和控制栅电极；所述控制栅电极用于提供控制电压；所述反铁电薄膜层用于在所述控制电压的作用下增强隧穿层的电场；所述电荷俘获层用于通过俘获从所述沟道层注入的电荷存储信息。本发明的存储单元工作电压低、存取速度快且存储窗口大。

主权项：1.一种存储单元，其特征在于，包括：依次设置的第一沟道层2、隧穿层3、电荷俘获层4、反铁电薄膜层1和控制栅电极5；所述控制栅电极5用于提供控制电压；所述反铁电薄膜层1用于在所述控制电压的作用下增强隧穿层3的电场；所述电荷俘获层4用于通过俘获从所述沟道层2注入的电荷存储信息。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种存储单元、存储器及存储器的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD