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【发明授权】Flash芯片及其读方法_深圳市芯天下技术有限公司_201911388851.7 

申请/专利权人:深圳市芯天下技术有限公司

申请日:2019-12-30

公开(公告)日:2020-10-20

公开(公告)号:CN111161769B

主分类号:G11C7/22(20060101)

分类号:G11C7/22(20060101);G11C16/26(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.10.20#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要:本发明涉及一种Flash芯片及其读方法;Flash芯片,包括用于获取内部时间信号32的计时器30,与计时器30电性连接、用于获取计时器30所获取的内部时间信号32并根据内部时间信号32启动或关断的读电路40;内部时间信号32的频率恒定。本发明的Flash芯片及其读方法设计新颖,实用性强。

主权项:1.一种Flash芯片,其特征在于,包括用于获取内部时间信号32的计时器30,与计时器30电性连接、用于获取计时器30所获取的内部时间信号32并根据内部时间信号32启动或关断的读电路40;内部时间信号32的频率恒定;读电路40包括比较器A、存储单元11以及电压源21;存储单元11包括晶体管;比较器A的反相输入端经电压源21后接地;比较器A的同相输入端接存储单元11的晶体管的漏极,存储单元11的晶体管的源极接地;存储单元11的晶体管的栅极用于通过频率恒定的内部时间信号32,控制存储单元11的工作时间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市芯天下技术有限公司 Flash芯片及其读方法

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