申请/专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司

申请日：2018-09-01

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN211719612U

主分类号：H01L33/24(20100101)

分类号：H01L33/24(20100101);H01L33/32(20100101);H01L33/20(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.20#授权

摘要：本实用新型公开了一种新型LED芯片，包括P氮化镓平台、N氮化镓平台、P电极、N电极、及P氮化镓平台与N氮化镓平台之间的有形发光区。以此提高LED芯片的出光效果。

主权项：1.一种新型LED芯片，其特征在于，包括P氮化镓平台、N氮化镓平台、P电极、N电极、及P氮化镓平台与N氮化镓平台之间的有形发光区，有形发光区的形状选自：圆台形发光区、三棱台形发光区、四棱台形发光区、六棱台形发光区中一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞市中晶半导体科技有限公司 一种新型LED芯片

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