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【实用新型】二极管结构_江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司_202020914638.7 

申请/专利权人:江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司

申请日:2020-05-27

公开(公告)日:2020-10-20

公开(公告)号:CN211719596U

主分类号:H01L29/06(20060101)

分类号:H01L29/06(20060101);H01L29/861(20060101);H01L21/329(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.10.20#授权

摘要:一种二极管结构,包含基板、柱体堆叠、以及第一阻障层。柱体堆叠设于基板上,其中柱体堆叠包含第一半导体层、硅层、以及第二半导体。第二半导体层与第一半导体层分别掺杂不同的掺质,第二半导体层与第一半导体层的电性不同。第一阻障层设于第一半导体层与硅层之间,其中第一阻障层具有扩散阻障性以阻挡第一半导体层的掺质进入硅层,可以减少第一半导体层的掺质浓度的损失。

主权项:1.一种二极管结构,其特征在于,包含:一基板;一柱体堆叠,设于该基板上,其中该柱体堆叠包含:一第一半导体层、一硅层、以及一第二半导体,其中该第二半导体层与该第一半导体层分别掺杂不同的掺质,该第二半导体层与该第一半导体层的电性不同;以及一第一阻障层,设于该第一半导体层与该硅层之间,其中该第一阻障层具有扩散阻障性以阻挡该第一半导体层的所述掺质进入该硅层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 二极管结构

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