申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-04-10

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816658A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.10#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成若干第一沟槽，相邻第一沟槽之间的衬底为有源区，所述第一沟槽的顶部宽度小于底部宽度；在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，部分所述第一隔离结构支撑于所述有源区边缘下方；在所述衬底内形成若干第二沟槽，所述第二沟槽将所述有源区分割为若干子有源区，并使所述子有源区悬空；在所述第二沟槽内填充第二隔离结构，所述第二隔离结构和第一隔离结构横向连接，包围所述子有源区的侧壁和底部。上述方法能够减少存储器的漏电。

主权项：1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成若干第一沟槽，相邻第一沟槽之间的衬底为有源区，所述第一沟槽的顶部宽度小于底部宽度；在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，部分所述第一隔离结构支撑于所述有源区边缘下方；在所述衬底内形成若干第二沟槽，所述第二沟槽将所述有源区分割为若干子有源区，并使所述子有源区悬空；在所述第二沟槽内填充第二隔离结构，所述第二隔离结构和第一隔离结构横向连接，包围所述子有源区的侧壁和底部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器及其形成方法

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