申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-04-12

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816611A

主分类号：H01L21/8244(20060101)

分类号：H01L21/8244(20060101);H01L27/11(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间，所述第一区上具有第一鳍部，所述第二区上具有第二鳍部，所述第三区上具有第三鳍部；在所述第一鳍部内形成第一开口；在所述第二鳍部内形成第二开口；在所述第一开口和第二开口内形成第一外延层；去除第二鳍部内的部分或全部第一外延层，在所述第二鳍部内形成第四开口；在所述第三鳍部内形成第三开口；在所述第四开口和第三开口内形成第二外延层。所形成的半导体结构性能得到提升。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间所述第一区上具有第一鳍部，所述第二区上具有第二鳍部，所述第三区上具有第三鳍部；在所述第一鳍部内形成第一开口；在所述第二鳍部内形成第二开口；在所述第一开口和第二开口内形成第一外延层；去除第二鳍部内的部分或全部第一外延层，在所述第二鳍部内形成第四开口；在所述第三鳍部内形成第三开口；在所述第四开口和第三开口内形成第二外延层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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