【发明公布】静电放电防护元件_旺宏电子股份有限公司_201910317056.2 

申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司

申请日:2019-04-19

发明/设计人:洪慈忆

公开(公告)日:2020-10-23

代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

公开(公告)号:CN111816651A

代理人:任岩

主分类号:H01L27/02(20060101)

地址:中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

分类号:H01L27/02(20060101)

优先权:["20190410 US 16/380,885"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.10.23#公开

摘要:本发明公开了一种静电放电防护元件,包括:衬底、高压N阱区与高压P阱区。衬底具有第一区与第二区,第二区环绕所述第一区。高压N阱区配置于衬底上,高压P阱区配置于高压N阱区上。第一区配置于高压N阱区上,包括具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型且环绕第一掺杂区的第二掺杂区、具有第一导电型且环绕第二掺杂区的第三掺杂区。第二区配置于高压P阱区上,包括具有第二导电型的多个第四掺杂区与具有第一导电型的第五掺杂区。多个第四掺杂区间隔排列并环绕第一区,第五掺杂区环绕第一区与多个第四掺杂区中的每一个。

主权项:1.一种静电放电防护元件,包括:衬底,具有第一区与第二区,所述第二区环绕所述第一区,所述衬底具有第一导电型;高压N阱区,具有第二导电型且配置于所述衬底上;以及高压P阱区,具有所述第一导电型且配置于所述高压N阱区上;其中所述第一区配置于所述高压N阱区上,包括:第一掺杂区,具有所述第一导电型;第二掺杂区,具有所述第二导电型且环绕所述第一掺杂区;以及第三掺杂区,具有所述第一导电型且环绕所述第二掺杂区,其中所述第二区配置于所述高压P阱区上,包括:多个第四掺杂区,具有所述第二导电型,所述多个第四掺杂区间隔排列并环绕所述第一区;以及第五掺杂区,具有所述第一导电型,所述第五掺杂区环绕所述第一区与所述多个第四掺杂区中的每一个。

全文数据:

权利要求:

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