【发明公布】半导体装置、电力变换装置_三菱电机株式会社_201980016986.2 

申请/专利权人:三菱电机株式会社

申请日:2019-02-19

发明/设计人:中田和成;田口健介

公开(公告)日:2020-10-23

代理机构:中国贸促会专利商标事务所有限公司

公开(公告)号:CN111819697A

代理人:李今子

主分类号:H01L29/78(20060101)

地址:日本东京

分类号:H01L29/78(20060101);C23C18/16(20060101);C23C18/52(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/288(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/12(20060101);H01L29/41(20060101);H01L29/739(20060101);H02M7/48(20070101)

优先权:["20180315 JP 2018-047539"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.10.23#公开

摘要:即使在由于通电或者开关动作等而施加应力的情况下,仍适当地维持电极层的连接状态。半导体装置具备:第1导电类型的半导体层;上表面构造,形成于半导体层的表层;以及上表面电极,覆盖上表面构造地形成,上表面电极具备:第1电极,形成于半导体层的上表面;以及第2电极,覆盖第1电极的上表面地形成,在第1电极的上表面形成第1凹部,第1凹部的侧面是锥形形状,第2电极覆盖包括第1凹部内的第1电极的上表面地形成。

主权项:1.一种半导体装置,具备:第1导电类型的半导体层1、2、2Y;上表面构造3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z,形成于所述半导体层1、2、2Y的至少表层;以及上表面电极7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y,至少覆盖所述上表面构造3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z地形成,所述上表面电极7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y具备:第1电极7、7A、7E、7F、7G、7Y,形成于所述半导体层1、2、2Y的至少上表面;以及第2电极10、10Y,覆盖所述第1电极7、7A、7E、7F、7G、7Y的上表面地形成,在所述第1电极7、7A、7E、7F、7G、7Y的上表面形成至少1个第1凹部8、8Y,所述第1凹部8、8Y的侧面是锥形形状,所述第2电极10、10Y覆盖包括所述第1凹部8、8Y内的所述第1电极7、7A、7E、7F、7G、7Y的上表面地形成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三菱电机株式会社 半导体装置、电力变换装置