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【发明公布】集成电路及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202010274127.8 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2020-04-09

公开(公告)日:2020-10-23

公开(公告)号:CN111816655A

主分类号:H01L27/092(20060101)

分类号:H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101)

优先权:["20190412 US 62/833,464","20200302 US 16/806,978"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要:一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管和第一绝缘层。第一晶体管设置在第一层中并且包括第一栅极。第二晶体管设置在第一层上方的第二层中,并且包括第二栅极。第一栅极和第二栅极在第一方向上彼此分离。第一绝缘层设置在第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极之间。第一绝缘层配置为将第一晶体管的第一栅极与第二晶体管的第二栅极电绝缘。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。

主权项:1.一种集成电路,包括:第一晶体管,设置在第一层中并包括第一栅极;第二晶体管,设置在所述第一层上方的第二层中并且包括第二栅极;其中,所述第一栅极和所述第二栅极在第一方向上彼此分离;以及第一绝缘层,设置在所述第一晶体管的所述第一栅极和所述第二晶体管的所述第二栅极之间,其中,所述第一绝缘层配置为将所述第一晶体管的所述第一栅极与所述第二晶体管的所述第二栅极电绝缘。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路及其形成方法

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