申请/专利权人:国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司
申请日:2019-03-26
公开(公告)日:2020-10-23
公开(公告)号:CN111819642A
主分类号:H01F1/11(20060101)
分类号:H01F1/11(20060101);C01G49/00(20060101);C01G49/06(20060101)
优先权:["20180329 JP 2018-064856"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.12.01#实质审查的生效;2020.10.23#公开
摘要:本发明提供粒度分布狭窄、且无助于磁记录特性的微细粒子的含量少,其结果矫顽力分布狭窄、适于磁记录介质的高记录密度化的铁系氧化物磁性粉的制造方法。通过湿式法得到ε型的铁系氧化物磁性粉后,向包含该磁性粉的浆料中添加作为表面改性剂的0.009molkg以上且1.0molkg以下的四烷基铵盐,并且将pH设为11以上且14以下,实施分散处理后进行分级,由此得到粒度分布狭窄、且矫顽力分布狭窄的铁系氧化物磁性粉。
主权项:1.铁系氧化物磁性粉,由利用透射电子显微镜测定的平均粒径为8nm以上30nm以下、且粒径的变动系数为30%以下的ε氧化铁的粒子构成,下述定义的ILIH的值为0.55以下,其中,IH是对在施加磁场3979kAm50kOe、M测定范围0.005A·m25emu、施加磁场变化速度13kAm·s、时间常数0.03sec、等待时间0.8sec的条件下测定得到的B-H曲线进行数值微分而得到的微分B-H曲线中出现于高磁场侧的峰的强度,另外,IL是所述微分B-H曲线的零磁场处的纵轴截距的强度。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司 铁系氧化物磁性粉及其制造方法
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