申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2020-07-06
公开(公告)日:2020-10-23
公开(公告)号:CN111812139A
主分类号:G01N23/2258(20180101)
分类号:G01N23/2258(20180101);G01N23/2204(20180101);G01N23/20091(20180101);G01N23/00(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2022.02.25#发明专利申请公布后的驳回;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开
摘要:本发明提供一种芯片内部结构分析方法及样品承载装置,分析方法包括如下步骤:采用聚焦离子束工艺对芯片进行处理,形成暴露目标层的测量样品;采用二次离子质谱分析方法对所述测量样品的目标层进行分析,获得分析数据。本发明优点在于,所述芯片内部结构分析方法可根据后续测量及分析步骤的要求而制备出尺寸适合其使用的测量样品,且在进行分析前不会对目标层造成破坏,制样方法简单,降低了制样难度,可以适用于大多数结构的样品。同时,由于制备的测量样品的目标层暴露于测量样品的表面,则在测量及分析步骤中,高能量的一次离子束能够直接作用于目标层,大大提高了测量准确度,且无额外的结构层的噪声影响,大大提高了掺杂浓度较低的元素定量分析的精度。
主权项:1.一种芯片内部结构分析方法,其特征在于,包括如下步骤:采用聚焦离子束工艺对芯片进行处理,形成暴露目标层的测量样品;采用二次离子质谱分析方法对所述测量样品的目标层进行分析,获得分析数据。
全文数据:
权利要求:
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