申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-04-30

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816226A

主分类号：G11C5/14(20060101)

分类号：G11C5/14(20060101);G11C7/12(20060101);G11C7/10(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.03.30#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：一种偏置电路包括充电电流再现单元、单元电流再现单元、电流比较器以及位线偏置发生器。所述充电电流再现单元根据流经电压偏置晶体管的充电电流来生成充电参考电压。所述单元电流再现单元根据流经共源晶体管的单元电流来生成单元参考电压。所述电流比较器包括用于根据所述充电参考电压生成复制充电电流的第一电流发生器以及用于根据所述单元参考电压生成复制单元电流的第二电流发生器。所述位线偏置发生器根据所述复制充电电流和所述复制单元电流之间的差异生成位线偏置电压，以控制页缓冲器对位线进行充电。

主权项：1.一种存储系统，包括：多个第一存储单元，所述多个第一存储单元耦合至第一位线；电压偏置晶体管，所述电压偏置晶体管具有被配置为接收第一系统电压的第一端子、第二端子以及控制端子；第一页缓冲器，所述第一页缓冲器耦合至所述第一位线和所述电压偏置晶体管的所述第二端子；共源晶体管，所述共源晶体管具有耦合至所述第一位线的第一端子、被配置为接收第二系统电压的第二端子、以及控制端子；以及偏置电路，所述偏置电路包括：充电电流再现单元，所述充电电流再现单元耦合至所述电压偏置晶体管，并且被配置为根据流经所述电压偏置晶体管的充电电流来生成充电参考电压；单元电流再现单元，所述单元电流再现单元耦合至所述共源晶体管，并且被配置为根据流经所述共源晶体管的单元电流来生成单元参考电压；电流比较器，所述电流比较器耦合至所述充电电流再现单元和所述单元电流再现单元；以及位线偏置发生器，所述位线偏置发生器耦合至所述电流比较器和所述第一页缓冲器，并且被配置为根据所述第一位线的充电状态来生成和调整位线偏置电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 能够减少读取时间的存储系统

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