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【发明公布】一种半导体器件中互连结构的加工方法_浙江驰拓科技有限公司_202010683457.2 

申请/专利权人:浙江驰拓科技有限公司

申请日:2020-07-15

公开(公告)日:2020-10-23

公开(公告)号:CN111816609A

主分类号:H01L21/768(20060101)

分类号:H01L21/768(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要:本发明提供了一种半导体器件中互连结构的加工方法,该加工方法包括:提供一衬底,该衬底上设置有第N金属层及沉积在第N金属层上的介电层;形成接触孔;在接触孔内沉积第一金属结构,且第一金属结构未填满接触孔;去除沉积在接触孔外以及接触孔侧壁上的第一金属结构;在接触孔内的第一金属结构上堆叠第二金属结构,且第二金属结构填满接触孔,进行第二金属结构CMP平坦化;在介电层上设置第N+1金属层或器件。在沉积第二金属结构后,采用CMP方法去除接触孔外的第二金属结构,无传统Cu工艺导致的凹陷,使得第二金属结构与后续器件或金属层的接触面较为平整。只需进行一次套准对位即可,提高整体良率,减少加工成本。

主权项:1.一种半导体器件中互连结构的加工方法,所述互连结构用于连接由介电层绝缘隔离的第N金属层及第N+1金属层或器件,所述互连结构包括连接所述第N金属层及第N+1金属层或器件的接触孔、以及堆叠在所述接触孔内的第一金属结构和第二金属结构,其特征在于,所述加工方法包括:提供衬底,所述衬底上设置有所述第N金属层及沉积在所述第N金属层上的所述介电层;在所述介电层上加工出所述接触孔;在所述接触孔内沉积一层阻挡层;在所述接触孔内沉积所述第一金属结构,且所述第一金属结构未填满所述接触孔;去除沉积在所述接触孔外以及接触孔侧壁上的第一金属结构;在所述接触孔内的第一金属结构上堆叠所述第二金属结构,且所述第二金属结构填满所述接触孔;采用CMP方法去除溢出所述接触孔外的第二金属结构;在所述介电层上设置所述第N+1金属层或器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江驰拓科技有限公司 一种半导体器件中互连结构的加工方法

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