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【发明公布】光谱芯片、光谱仪及光谱芯片制备方法_清华大学_202010718462.2 

申请/专利权人:清华大学

申请日:2020-07-23

公开(公告)日:2020-10-23

公开(公告)号:CN111811651A

主分类号:G01J3/433(20060101)

分类号:G01J3/433(20060101);G01J3/02(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要:本发明提供一种光谱芯片、光谱仪及光谱芯片制备方法,芯片包括:在晶圆级别的图像传感器的感光区域的表面制备有光调制层,光调制层由金属和介质两种材料交替排布形成;光调制层包含由多个微纳单元组成的单元阵列;微纳单元包含有多组微纳结构阵列,每组微纳结构阵列由二维光栅结构形成,每组微纳结构阵列中的二维光栅结构为具有偏振无关特性的光栅结构;各微纳单元的多组微纳结构阵列中的二维光栅结构用于对入射光进行调制,将入射光的频谱信息编码到晶圆的不同像素点上,得到包含频谱信息的图像。本发明提供的光谱芯片对入射角度、偏振不敏感,从而使得光谱测量结果不会受到待测光入射角度和偏振特性的影响,进而能够保证光谱测量性能的稳定性。

主权项:1.一种光谱芯片,其特征在于,包括:晶圆级别的图像传感器;所述晶圆级别的图像传感器的感光区域的上表面制备有光调制层,所述光调制层沿光调制层平铺方向由金属和介质交替排布形成;所述光调制层包含由多个微纳单元组成的单元阵列,每个微纳单元对应晶圆级别的图像传感器上的一个或多个像素点;所述微纳单元包含有多组微纳结构阵列,每组微纳结构阵列由二维光栅结构形成,其中,每组微纳结构阵列中的二维光栅结构为具有偏振无关特性的光栅结构;各微纳单元的多组微纳结构阵列中的二维光栅结构用于对入射光进行调制,将所述入射光的频谱信息编码到晶圆级别的图像传感器的不同像素点上,得到包含所述入射光的频谱信息的图像。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 清华大学 光谱芯片、光谱仪及光谱芯片制备方法

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