申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司

申请日：2020-07-23

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111805413A

主分类号：B24B37/04(20120101)

分类号：B24B37/04(20120101);B24B37/24(20120101);B24B27/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.03.03#发明专利申请公布后的驳回;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。本发明提供的化学机械研磨方法能够在较大的研磨量下保持半导体晶圆表面的均匀性。

主权项：1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 化学机械研磨方法

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