申请/专利权人：福建晶安光电有限公司

申请日：2020-07-28

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816593A

主分类号：H01L21/67(20060101)

分类号：H01L21/67(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本申请公开了一种提高晶片蚀刻均匀性的方法，涉及半导体相关技术领域，该方法包括以下步骤：利用晶片固定装置将晶片固定，并至少暴露出晶片的蚀刻面；使晶片绕预设轴线旋转，以使晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同。晶片固定装置能暴露出晶片的蚀刻面，减少晶片蚀刻面的被遮挡面积，蚀刻气体易到达晶片的蚀刻面并对其进行蚀刻；且晶片绕预设轴线旋转，晶片均匀地到达蚀刻速率较快的区域及蚀刻速率较慢的区域，在每个旋转周期内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同，晶片的蚀刻面能均匀地接触蚀刻气体以保证蚀刻气体均匀地蚀刻晶片。

主权项：1.一种提高晶片蚀刻均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：利用晶片固定装置将晶片固定，并至少暴露出所述晶片的蚀刻面；使所述晶片绕预设轴线旋转，以使所述晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建晶安光电有限公司 提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置

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