申请/专利权人：深圳第三代半导体研究院

申请日：2020-09-14

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816738A

主分类号：H01L33/00(20100101)

分类号：H01L33/00(20100101);H01L33/44(20100101);H01L33/32(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.06#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本发明公开了一种GaN基LED光源及其制备方法，所述制备方法包括：衬底取样，并用浓磷酸溶液对其表面进行预处理；在衬底上依次沉积GaN缓冲层、p‑GaN势垒层；在p‑GaN势垒层上沉积本征InxGa1‑xN层；在本征InxGa1‑xN层上沉积本征GaN势垒层；在本征GaN势垒层上沉积氧化物介质层；先在氧化物介质层上淀积磁性金属层，再在磁性金属层的中心位置采用紫外光刻技术和湿法刻蚀技术制得一金属台阶图案；在垂直于GaN缓冲层的方向外加一磁场，制得GaN基LED光源。本发明GaN基LED光源体积小、结构紧凑且可在室温下工作，外加的磁场实现了偏振光方向的可控性调控，实用性佳，具有广泛的工业推广价值。

主权项：1.一种GaN基LED光源的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：衬底取样，并用浓磷酸溶液对所述衬底的表面进行预处理；在所述衬底的上表面依次沉积GaN缓冲层、p-GaN势垒层；在所述p-GaN势垒层的上表面沉积本征InxGa1-xN层；在所述本征InxGa1-xN层的上表面沉积本征GaN势垒层；在所述本征GaN势垒层的上表面沉积氧化物介质层；先在所述氧化物介质层的上表面淀积一层磁性金属层，再在所述磁性金属层的中心位置采用紫外光刻技术和湿法刻蚀技术制得一金属台阶图案；在垂直于所述GaN缓冲层的方向，外加一用于调节光偏振方向的磁场，从而制得GaN基LED光源。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳第三代半导体研究院 一种GaN基LED光源及其制备方法

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