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【发明公布】存储器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202080001180.9 

申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2020-05-25

公开(公告)日:2020-10-23

公开(公告)号:CN111819691A

主分类号:H01L27/1157(20170101)

分类号:H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.04.16#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要:存储器件包括底部选择栅BSG结构。在衬底上穿过BSG结构垂直形成切缝。在BSG结构上形成单元‑层结构。栅极线狭缝垂直穿过单元‑层结构和BSG结构形成至衬底中,并且沿第一横向方向布置以区分指状区域。栅极线狭缝包括在第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝,第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝。切缝包括第一切缝,第一切缝形成于第二指状区域中并连接到栅极线子狭缝,以在第二指状区域的第一部分中限定BSG。第二指状区域的第一部分中的BSG通过一个栅极线子狭缝和相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在第一指状区域中的单元串。

主权项:1.一种存储器件,包括:衬底上的底部选择栅BSG结构,包括穿过所述BSG结构垂直形成的切缝;形成于所述BSG结构上的单元-层结构;以及栅极线狭缝,所述栅极线狭缝垂直穿过所述单元-层结构和所述BSG结构形成至所述衬底中,并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域,其中:所述栅极线狭缝包括在所述多个指状区域中的第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝,所述第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝,并且所述切缝包括第一切缝,所述第一切缝形成于所述第二指状区域中并且连接到所述第一栅极线狭缝的栅极线子狭缝,以在所述第二指状区域的第一部分中限定BSG,其中:在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述BSG通过在所述第一栅极线狭缝的所述一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在所述第一指状区域中的单元串。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长江存储科技有限责任公司 存储器件及其形成方法

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