申请/专利权人：华为机器有限公司

申请日：2018-12-01

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN109713087B

主分类号：H01L33/00(20100101)

分类号：H01L33/00(20100101);H01L21/66(20060101)

优先权：["20180927 CN 2018111288862"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.23#授权;2019.05.28#实质审查的生效;2019.05.03#公开

摘要：本发明公开一种芯片维修方法，包括如下步骤：测试接收基板，从位于所述接收基板的一个表面上的多个芯片中检测出N个缺陷芯片，并获取每一个缺陷芯片的坐标信息，N为大于或等于2的整数；根据所述N个缺陷芯片的坐标信息，从位于输出基板的一个表面上的多个无缺陷芯片中确定出N个无缺陷芯片作为补偿芯片，所述N个补偿芯片与所述N个缺陷芯片是一对一的；将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。本发明的芯片维修方法能够针对基板上存在的缺陷芯片进行一次性的维修，提高维修效率。本发明还提供一种芯片维修设备。

主权项：1.一种芯片维修方法，其特征在于，包括：测试接收基板，从位于所述接收基板的一个表面上的多个芯片中检测出N个缺陷芯片，并获取每一个所述缺陷芯片的坐标信息，N为大于或等于2的整数；根据所述N个缺陷芯片的坐标信息，从位于输出基板的一个表面上的多个无缺陷芯片中确定出N个所述无缺陷芯片作为补偿芯片，所述N个补偿芯片与所述N个缺陷芯片是一对一的；将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。

全文数据：芯片维修方法及设备技术领域本发明涉及芯片维修技术领域，特别涉及芯片维修的工艺方法及维修设备。背景技术以MicroLEDDisplay微发光二极管显示器为例，大量的MicroLED微发光二极管芯片需要从载板转移至显示屏的基板上，转移过程中，难免出现一些MicroLED芯片存在缺陷，无法工作。因此需要对缺陷芯片进行维修。现有技术中的维修方法为针对每一颗缺陷芯片进行单独操作，即先将一颗缺陷芯片拆下，再补装一颗好的MicroLED芯片替换缺陷芯片。当MicroLED芯片数量较多的情况下，这种每次只维修一颗芯片的操作方式效率极低。发明内容为了克服现有技术中芯片维修方法所存在的缺陷，本发明提供一种能够批量维修芯片的方法及设备。第一方面，本申请提供的一种芯片维修方法，用于针对接收基板上的多个芯片进行维修，多个芯片呈阵列分布在接收基板上，具体实施方式中，接收基板可以为显示屏基板，芯片可以为设置在显示屏基板上的LED芯片，本申请可以针对显示屏基板上的缺陷LED进行维修。本申请提供的芯片维修方法包括如下步骤：首先测试接收基板，从位于所述接收基板的一个表面上的多个芯片中检测出N个缺陷芯片，并获取每一个缺陷芯片的坐标信息，N为大于或等于2的整数；然后根据所述N个缺陷芯片的坐标信息，从位于输出基板的一个表面上的多个无缺陷芯片中确定出N个无缺陷芯片作为补偿芯片，所述N个补偿芯片与所述N个缺陷芯片是一对一的；最后将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。具体而言，一种实施方式中，可以先将缺陷芯片全部移除，再批量转移补偿芯片至对应的缺陷芯片的位置，另一实施方式中，也可以不移除缺陷芯片，缺陷芯片的旁边有空间供设置补偿芯片，这是因为在接收基板上制作所有芯片的时候，并非将所有的芯片紧挨着排列，而是相邻的芯片之间保持空隙，即，已经在每颗芯片的旁边预留了空间，可以在预留空间内设置补偿芯片。结合第一方面，在第一种可能的实施方式下，其中“所述N个补偿芯片与所述N个缺陷芯片是一对一的”包括：位于输出基板上的每一补偿芯片的坐标信息与对应的缺陷芯片的坐标信息相同，或者，位于所述输出基板上的每一补偿芯片在每一轴向上的坐标分量是对应的所述缺陷芯片在相同轴向上的坐标分量的整数倍。需要说明的是，假设本实现方式中所涉及的坐标包括X轴向的分量和Y轴向的分量，则每一补偿芯片在X轴向上的坐标分量为对应的所述缺陷芯片在X轴向上的坐标分量的M倍，且在Y轴向上的坐标分量为对应的所述缺陷芯片在X轴向上的坐标分量的N倍，其中M和N均为大于或等于1的整数。值得注意的是，M可以等于N，也可以不等于N。上述的芯片维修方法通过对缺陷芯片坐标的批量获取，从而实现缺陷芯片的批量维修，极大的提升了芯片维修的效率。结合第一方面或第一方面的第一种可能的实施方式，在第二种可能的实施方式中，所述的芯片维修方法中将所有的所述补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置的步骤包括：对位所述输出基板和所述接收基板，使得所述无缺陷芯片面对所述接收基板上设有所述多个芯片的表面；利用激光剥离技术，将所述N个补偿芯片转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。本实施方式通过激光烧蚀技术直接将输出基板上的补偿芯片转移于接收基板上，对接收基板上的缺陷芯片进行维修，通过一次对位和一次批量转移，具有良好的效率。结合第一方面的第二种可能的实施方式，在第三种可能的实施方式中，对位所述输出基板和所述接收基板后，在激光剥离的过程中，所述输出基板和所述接收基板之间具有间隙。间隙的设置有利于激光烧蚀技术的顺利进行，保证芯片的质量。具体而言，间隙在10-1000微米范围内。结合第一方面的第三种可能的实施方式，在第四种可能的实施方式中，所述输出基板上用于固定所述无缺陷芯片的材料为牺牲材料层，当激光照射所述牺牲材料层时，所述N个补偿芯片掉落至所述接收基板上。结合第一方面的第四种可能的实施方式，在第五种可能的实施方式中，所述接收基板的表面设有粘接材料层，当补偿芯片掉落至所述接收基板上时，直接落在粘性材料层上，所述粘性材料层用于固定所述补偿芯片。结合第一方面的第二种可能的实施方式，在第六种可能的实施方式中，在对位所述输出基板和所述接收基板之前，在所述输出基板和或所述接收基板上设置限位件，所述限位件用于保证所述输出基板和所述接收基板之间形成所述间隙。本实施方式通过限位件可保证间隙，使得对位的过程，更加容易，不需要借助控制中心对输出基板和接收基板之间的距离进行扫描和测量，直接对位，通过限位件以物理间隔方式，即可实现间隙的控制，进一步提升了维修效率。结合第一方面的第六种可能的实施方式，在第七种可能的实施方式中，所述限位件分布于所述输出基板和或所述接收基板的边缘区域，所述边缘区域包围所述输出基板和或所述接收基板上用于设置芯片的区域。限位件可以单独设置在输出基板上，也可以单独设置在接收基板上，或者在输出基板和接收基板上均设置限位件，限位件设置的过程中，需要考虑限位件的高度是否可以满足间隙，及限位件设置的位置不干涉芯片转移。结合第一方面的第七种可能的实施方式，在第八种可能的实施方式中，所述限位件分布于所述输出基板和或所述接收基板上相邻的芯片之间。可选的，通过曝光显影的工艺方法在所述输出基板和或所述接收基板的表面形成所述限位件。即制作限位件的步骤可以与制作输出基板和或接收基板上的其它器件利用同一工艺完成。可选的，维修完成后，通过蚀刻曝光显影的方式或者激光烧蚀或者机械方式例如机械切割技术去除所述限位件，降低限位件的设置对基板的影响。结合第一方面，在第九种可能的实施方式中，所述的芯片维修方法中将所有的所述补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置的步骤包括：提供带有多个印章端子的弹性印章，将所述弹性印章与所述输出基板对位，且所述多个印章端子中的N个印章端子吸附所述输出基板上的所述N个补偿芯片；将所述弹性印章与所述接收基板对位，并将吸附在所述N个印章端子上的所述N个补偿芯片转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。本实施方式，通过弹性印章作为中间转移装置将输出基板上的补偿芯片转移至接收基板上。弹性印章的精度通过模具、蚀刻等方式加工可以实现，印章端子的弹性特性在于其可以受压时变形，可以避免其与输出基板上芯片接触时损伤芯片，印章端子与不需要维修位置的芯片接触时，也不会破坏该位置已有的好的芯片。结合第一方面的第九种可能的实施方式，在第十种可能的实施方式中，通过激光剥离技术将所述输出基板上被选定的所述N个补偿芯片转移到坐标对应的所述N个印章端子上。结合第一方面的第九种可能的实施方式，在第十一种可能的实施方式中，所述N个印章端子采用静电力、或磁力、或范德华力、或粘接力的方式吸附所述N个补偿芯片。静电力和磁力通过控制电路的开关控制即可，范德华力和粘接力通过接收基板上的粘接材料的粘接力来实现，接收基板粘接材料与芯片的粘接力大于芯片与弹性印章界面的粘接力。结合第一方面的第九种可能的实施方式，在第十二种可能的实施方式中，所述弹性印章设有加热件，通过所述加热件加热所述弹性印章，使得所述N个印章端子上的所述N个补偿芯片转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片处的位置。结合第一方面的第十二种可能的实施方式，在第十三种可能的实施方式中，所述加热装置和所述印章端子分别位于所述弹性印章的相背的两面。第二方面，本发明提供了一种能够大批量维修芯片的设备，所述芯片维修设备包括测试装置、对位及转移装置：测试装置，用于测试所述接收基板，并获取所述N个芯片中所有的缺陷芯片的坐标信息；对位及转移装置，用于根据所述接收基板上的所述N个缺陷芯片的坐标信息，从位于输出基板的一个表面上的多个无缺陷芯片中确定出N个无缺陷芯片作为补偿芯片，并将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。结合第二方面，在第一种可能的实施方式中，所述对位及转移装置包括移动装置和激光剥离模块，所述对位及转移装置包括移动装置和激光剥离模块，所述激光剥离模块通过激光烧蚀的工艺使所述坐标信息所对应的所述N个补偿芯片从输出基板上脱落；所述移动装置用于将输出基板与接收基板对位和移动。结合第二方面，在第二种可能的实施方式中，所述对位及转移装置包括激光剥离装置、移动装置和弹性印章，所述弹性印章包括多个印章端子，所述多个印章端子用于吸附所述输出基板上的所述N个补偿芯片；所述激光剥离模块通过激光烧蚀的工艺使所述坐标信息所对应的所述N个补偿芯片从输出基板上脱落；所述移动装置用于所述弹性印章、所述输出基板及接收基板的对位和移动。本发明提供的芯片维修方法通过对所述接收基板检测，找出基板上存在缺陷的芯片，然后根据众多缺陷芯片的坐标信息，进行批量维修，从而大幅度提高维修的效率。附图说明图1是本发明一个实施例中芯片维修的流程图；图2是本发明接收基板的俯视图；图3是本发明输出基板的俯视图；图4是本发明一个实施例中将补偿芯片转移到接收基板的流程示意图；图5是本发明一实施例中输出基板与接收基板对位的示意图；图6是本发明限位件的一种分布示意图；图7是本发明限位件的另一种分布示意图；图8是本发明一实施例中激光剥离工艺的示意图；图9是本发明另一个实施例中将补偿芯片转移到接收基板的流程示意图；图10是本发明另一实施例中输出基板与弹性印章对位的示意图；图11是本发明弹性印章的俯视图；图12是本发明另一实施例中弹性印章与接收基板对位的示意图；图13是本发明一个实施例中芯片维修的应用环境图；图14是本发明一个实施例中对位及转移装置的设备示意图；图15是本发明另一个实施例中对位及转移装置的设备示意图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请的具体实施方式进行清楚地描述。在一个实施例中，结合图1所示，本申请提供的一种芯片维修方法包括以下步骤。S100，测试接收基板，从位于所述接收基板的一个表面上的多个芯片中检测出N个缺陷芯片，并获取每一个所述缺陷芯片的坐标信息，N为大于或等于2的整数。值得注意的是，缺陷芯片是指存在缺陷的芯片，或者是指不能正常工作的芯片。与之相对于的是无缺陷芯片，所谓的无缺陷芯片是指不存在缺陷的芯片，或者是指能够正常工作的芯片。S200，根据所述N个缺陷芯片的坐标信息，从位于输出基板的一个表面上的多个无缺陷芯片中确定出N个所述无缺陷芯片作为补偿芯片，所述N个补偿芯片与所述N个缺陷芯片是一对一的。S300，将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。其中“所述N个补偿芯片与所述N个缺陷芯片是一对一的”包括：每一补偿芯片的坐标与对应的缺陷芯片的坐标相同，或者，每一补偿芯片的每一轴向坐标分量是对应的缺陷芯片的相同轴向坐标分量的整数倍。需要说明的是，假设本实现方式中所涉及的坐标包括X轴向的分量和Y轴向的分量，则每一补偿芯片在X轴向上的坐标分量为对应的所述缺陷芯片在X轴向上的坐标分量的M倍，且在Y轴向上的坐标分量为对应的所述缺陷芯片在X轴向上的坐标分量的N倍，其中M和N均为大于或等于1的整数。值得注意的是，M可以等于N，也可以不等于N。如图2所示，接收基板106可以为显示屏基板，芯片可以为设置在显示屏基板上的LED芯片，LED芯片呈矩阵分布在接收基板106上，通过测试，能够得到其中缺陷芯片1062的具体的坐标信息。例如，图2中接收基板106上的四颗缺陷芯片1062的坐标信息分别为：6R6C第6行第6列所对应的位置、10R3C第10行第3列所对应的位置、13R6C第13行第6列所对应的位置及18R8C第18行第8列所对应的位置。如图3所示，输出基板202上设有阵列分布的多个无缺陷芯片2022。为了确保激光剥离的顺利进行，需要对阵列分布的无缺陷芯片2022的间距进行限制，使接收基板106上芯片的间距同输出基板202上的无缺陷芯片2022的间距相同或是其整数倍。之后将会在这些无缺陷芯片中挑选出合适的补偿芯片2024，根据所述接收基板106上的所述缺陷芯片1062的坐标信息，在所述输出基板202上选择指定位置的所述无缺陷芯片2022作为补偿芯片2024。“阵列分布的无缺陷芯片2022的间距”具体是指相邻的两个无缺陷芯片2022的中心位置之间的距离，具体而言，若各无缺陷芯片2022包括多个管脚，无缺陷芯片2022与输出基板202之间通过多个管脚进行连接，那么，“阵列分布的无缺陷芯片2022的间距”是各无缺陷芯片2022的管脚中心位置可以为位于中心位置的管脚的中心点，或者所有管脚分布区域的中心点之间的间距。图3中，在输出基板202上按缺陷芯片1062的坐标信息指定的四颗补偿芯片2024的坐标信息分别为：6R6C第6行第6列所对应的位置、10R3C第10行第3列所对应的位置、13R6C第13行第6列所对应的位置及18R8C第18行第8列所对应的位置。本申请提供的一种芯片维修方法中，具体而言，可以先将缺陷芯片1062全部移除，再批量转移补偿芯片2024至对应的缺陷芯片1062的位置，另一实施方式中，也可以不移除缺陷芯片1062，缺陷芯片1062的旁边有空间供设置补偿芯片2024，这是因为在接收基板106上制作所有芯片的时候，并非将所有的芯片紧挨着排列，而是相邻的芯片之间保持空隙，即，已经在每颗芯片的旁边预留了空间，可以在预留空间内设置补偿芯片2024。上述芯片的维修方法，通过缺陷芯片的位置信息，选定维修芯片，并一次性将维修芯片进行转移，达到批量维修的目的。相对现有技术的维修方法，本发明采取的批量维修方式，极大地提高了芯片维修的效率。在一个实施例中，如图4所示，将所有的所述补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置的步骤包括：步骤311，对位所述输出基板和所述接收基板，使得所述无缺陷芯片面对所述接收基板上设有所述多个芯片的表面；步骤312，利用激光剥离技术，将所述N个补偿芯片转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。通过上述步骤411和步骤412，可以一次性地在所有需要维修的缺陷芯片的位置处填补补偿芯片，也可以通过重复上述步骤411和步骤412的方式来完成在所有需要维修的缺陷芯片的位置处填补补偿芯片。具体操作举例说明如下：第一次对位输出基板和接收基板，并完成转移补偿芯片至缺陷芯片位置后，只转移了部分补偿芯片，接下来，通过移动输出基板或接收基板的方式，进一步对位，完成其余的补偿芯片的转移。具体的，将输出基板202与接收基板106进行对位，使输出基板202上的无缺陷芯片2022面对接收基板106上的缺陷芯片1062结合图2所示，图4表达的是个截面，为了方便表达，缺陷芯片1062位置为空，图4没有示意出缺陷芯片的表面。如图2和3所示，输出基板202与接收基板106上面的芯片为同样的阵列式分布形式，因此，输出基板202上与接收基板106上的芯片处于一一对应的状态。利用激光剥离模块4118的激光对准各补偿芯片2024，使得补偿芯片2024脱离输出基板202，下落至接收基板106上缺陷芯片的位置处，即图4中的最后一步骤，至此，本实施例维修完成。在具体实施例中，若在激光剥离过程中发生与缺陷芯片1062位置对应的输出基板202上的补偿芯片2024缺失的情形，则在对其他补偿芯片2024转移完成后，快速移动输出基板202或接收基板，再在输出基板上选择无缺陷芯片2022进行对位和激光剥离操作，从而完成芯片维修。如图5所示，为了保证对位之后激光剥离过程的进行，对位时需要保证输出基板202和接收基板106之间具有间隙4115。间隙4115的范围是10-1000微米。为了保证间隙4115的形成，可以在接收基板106和或输出基板202上分布限位件4114。该限位件4114的工作尺寸由输出基板202和接收基板106上芯片的高度决定：限位件4114的工作高度为H，接收基板106上正常芯片1068高度的标准值为a，公差为a1，输出基板202上的补偿芯片2024高度的标准值b，公差为b1，则限位件4114的工作高度H≥a+b+c其中c为正产芯片1068和补偿芯片2024高度的公差的和，c≥a1+b1+d，这里的d为常数，根据具体情况在0～100微米中取值。其中限位件4114的工作尺寸H是指其在垂直于基板面的方向上的尺寸，正常芯片1068的高度是指其垂直于接收基板106方向上的尺寸，补偿芯片2024的高度是指垂直于输出基板202设置芯片的表面的方向上的尺寸。需要说明的是，本申请中限位件4114的具体分布方式有多种，一切通过在输出基板202和或接收基板106上分布限位件4114的情形，都利用了限位件4114保证间隙4115的原理，因此利用该原理而在输出基板202和或接收基板106上分布限位件4114的情形，不管限位件4114如何分布，都属于本发明的保护范围，本申请仅以两个具体分布方式为例，对限位件4114的位置分布进行说明。如图6所示，限位件4114分布在输出基板202和或接收基板106上四周边缘区域，该边缘区域保卫输出基板202或接收基板106上设置芯片的区域，具体位置可根据布局选取。如图7所示，在具体的实施例中，限位件4114分布于述输出基板202和或接收基板106上相邻的芯片之间。在具体的实施例中，为了保证限位件4114不会对芯片维修产生影响，限位件4114由曝光显影的加工方式在输出基板202和或接收基板106的表面形成，在维修完成后，通过曝光显影的方式或者激光烧蚀或者机械方式例如机械切割的方式去除。具体的，如图8所示，通过激光剥离模块4118对输出基板202的背对分布芯片的面板位置进行烧灼，让烧灼位置上的多个补偿芯片2024脱落到接收基板106上缺陷芯片1062的位置上。在具体实施例中，为了便于激光剥离模块4118的操作，输出基板202上用于固定所述多个无缺陷芯片2022的材料为牺牲材料层2026，当激光照射牺牲材料层2026时，补偿芯片2024掉落至接收基板106上。在具体的实施例中，接收基板106的表面设有粘接材料层1066，粘性材料层1066用于固定因激光剥离操作而掉落的补偿芯片2024。在具体的实施例中，为了便于激光剥离模块4118的操作，输出基板202的基板2028为激光可透过材料制成。在另一个实施例中，如图9所示，将所有的所述补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置的步骤包括：步骤321，提供带有多个印章端子的弹性印章，将所述弹性印章与所述输出基板对位，且所述多个印章端子中的N个印章端子吸附所述输出基板上的所述N个补偿芯片；步骤322，将所述弹性印章与所述接收基板对位，并将吸附在所述N个印章端子上的所述N个补偿芯片转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。具体的，如图9和10，将弹性印章4212与输出基板202进行对位，让印章端子4214吸附所对应的输出基板202上的补偿芯片2024，同时激光剥离模块4118对输出基板202上补偿芯片2024位置进行灼烧，被灼烧位置的补偿芯片2024因灼烧脱落，脱落的补偿芯片2024因印章端子4214的吸附作用而被转移到弹性印章4212上。具体的，如图9所示，将弹性印章4212与接收基板106进行对位的过程中，保证弹性印章4212上吸附的补偿芯片2024位于接收基板106上缺陷芯片1062位置的正上方，对位完成后，下移弹性印章4212使补偿芯片2024与接收基板106上对应缺陷芯片位置接触，通过开关关闭消除印章端子4214对补偿芯片2024的静电力或磁力吸附力，移走弹性印章4212即可完成芯片的维修工作；另一种实施例中，在接收基板表面设有粘接材料层1066，粘性材料层1066与芯片的粘接力大于弹性印章4212与补偿芯片2024的范德华力或粘接力，移走弹性印章4212即可成芯片的维修工作。在具体实施例中，如图11所示，弹性印章4212的一面上阵列分布着印章端子4214，印章端子4214按照接收基板106上芯片的排列方式阵列式的分布在弹性印章4212上。在具体实施例中，为了使脱落的补偿芯片2024被印章端子4214所吸附转移，印章端子4214可以采用静电力、磁力、范德华力、粘接力等方式对与其接触的补偿芯片2024产生吸附效果。在具体实施例中，为了保证弹性印章4212和接收基板106之间的对位配合，弹性印章4212可以选择能够变形的材料，如聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺等；弹性印章4212上分布有印章端子4214表面的尺寸优选小于或等于接收基板202对应表面的尺寸。在具体实施例中，如图12所示，为了保证弹性印章4212和接收基板106之间的对位配合，印章端子4214的高度h由补偿芯片2024和接收基板106上正常芯片1068的高度决定，补偿芯片2024高度的标准值为a，公差是a1，接收基板106上正常芯片1068高度标准值为b，公差b1，印章端子4214高度h≥b-a+c其中c是正常芯片1068和印章端子4214高度的，公差的和，c≥a1+b1+d，d为常数，根据具体情况在0～100微米的范围内取值。其中印章端子4212的高度h所在的方向与弹性印章4212的厚度方向相同，补偿芯片2024的高度所在的方向与接收基板202的厚度方向相同，正常芯片1068的高度所在的方向与接收基板106的厚度方向相同。在具体实施例中，为了保证对未转移过程中印章端子4214不干涉接收基板106上其他位置芯片或部件，则被转移芯片的长度为a1，宽度为b1应当知道的是，被转移芯片位于印章端子4214朝向接收基板106的端面上，接收基板106上用于放置被转移芯片的区域的长度为a2，宽度为b2，其中，a1在a2-10um到a2+10um中取值，b1在b2-10um到b2+10um中取值。在具体实施例中，如图12所示，为了保证补偿芯片2024固定在接收基板106位置，在接收基板106面对弹性印章4212的表面上预制粘性材料层1066。下面以印章端子4214对补偿芯片2024产生粘接力的具体实施方式对步骤422进行解释说明：如图12，在弹性印章4212上与印章端子4214相背的表面上设置有加热装置4218，在印章端子4214将与补偿芯片2024接触的一面上预制粘性热感材料，加热装置4218通过控制温度来控制粘性热感材料的状态，当需要消除印章端子4214对补偿芯片2024的吸附力时，通过加热装置4218改变温度，让粘性热感材料发生相变，从而让印章端子4214丧失吸附力或降低吸附力，当粘性材料层1066与芯片的粘接力大于弹性印章4212与补偿芯片2024的粘接力时，移走弹性印章4212即可成芯片的维修工作。另一方面，本发明提供了用于上述芯片维修方法的芯片维修设备，用于芯片的批量维修。如图13所示，并结合前面的图示及说明，本申请提供的芯片维修设备包括对位及转移装置4112和测试装置104。测试装置104用于测试接收基板106，并获取多个芯片中所有的缺陷芯片1062的坐标信息。对位及转移装置4112用于根据接收基板106上的缺陷芯片1062的坐标信息，在输出基板202上选择指定位置的无缺陷芯片2022作为补偿芯片2024，并将所有的补偿芯片2024批量转移运动接收基板106上的对应的缺陷芯片1062的位置。在具体实施例中，芯片维修设备由控制中心102进行控制，控制中心102控制测试装置104，对接收基板106进行检测，检测后得到接收基板106上有关缺陷芯片1062的坐标信息，测试装置104将坐标信息反馈给控制中心102，控制中心102根据坐标信息，通过控制对位及转移装置4112将补偿芯片2024批量转移到接收基板106上缺陷芯片1062的位置，完成芯片的批量维修。如图14所示，在具体实施例中，对位及转移装置4112包括激光剥离模块4118和移动装置4116，激光剥离模块4118通过激光烧蚀的工艺使坐标信息所对应的补偿芯片2024从输出基板202上脱落；移动装置4116用于将输出基板202与接收基板106对位和移动。如图15所示，在具体实施例中，对位及转移装置4112包括激光剥离装置4118、移动装置4116和弹性印章4212，弹性印章4212包括多个印章端子4214，多个印章端子4214用于吸附所对应的输出基板202上的补偿芯片2024；激光剥离模块4118通过激光烧蚀的工艺使坐标信息所对应的补偿芯片2024从输出基板202上脱落；移动装置4116先是用于移动弹性印章4212，使得弹性印章4212与输出基板202对位以使多个印章端子4214用于吸附所对应的输出基板202上的补偿芯片2024，之后移动装置4116还用于移动吸附有补偿芯片2024的弹性印章4212，使得弹性印章4212与接收基板106对位，待维修完成转移弹性印章。对比现有方法，本申请的芯片维修方法能够极大的促进维修效率，节约生产成本，下面以5.9寸全高清手机屏1920*1080为例进行说明，若手机屏幕上LED芯片的良品率为99.99％，则5.9寸全高清手机屏上不良芯片的数量为1980*1080*3*0.01％，即622个，如果采用传统的方法，一次仅针对一个芯片进行转移维修，一次操作为10秒，则一共需要6220秒，约100分钟，效率无法满足大规模生产的需求。而采用本申请的芯片维修方法，所花费的时间主要是激光剥离和对位的时间，按照正常水平，针对每个芯片的激光剥离操作时间为15微妙，而对位转移等操作花费的时间，是为批量维修服务的，所以平分到每个芯片的维修时间是可以控制到0.5秒以内这个维修时间会随着每次批量维修的不良芯片的个数增加而降低，则针对芯片良品率为99.99％的5.9寸全高清手机屏幕，其维修时间为622*0.5，即311秒，约5分钟，通过对比可以发现本申请的芯片维修方案花费的时间只占原有技术的二十分之一，因此本申请中芯片维修的方法及设备相较于现有的技术方案而言具有极大的改进，能够带来巨大的商业价值。

权利要求：1.一种芯片维修方法，其特征在于，包括：测试接收基板，从位于所述接收基板的一个表面上的多个芯片中检测出N个缺陷芯片，并获取每一个所述缺陷芯片的坐标信息，N为大于或等于2的整数；根据所述N个缺陷芯片的坐标信息，从位于输出基板的一个表面上的多个无缺陷芯片中确定出N个所述无缺陷芯片作为补偿芯片，所述N个补偿芯片与所述N个缺陷芯片是一对一的；将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。2.如权利要求1所述的芯片维修方法，其特征在于，位于所述输出基板上的每一所述补偿芯片的坐标信息与对应的所述缺陷芯片的坐标信息相同，或者，位于所述输出基板上的每一所述补偿芯片在每一轴向上的坐标分量是对应的所述缺陷芯片在相同轴向上的坐标分量的整数倍。3.如权利要求1或2所述的芯片维修方法，其特征在于，将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置的步骤包括：对位所述输出基板和所述接收基板，使得所述无缺陷芯片面对所述接收基板上设有所述多个芯片的表面；利用激光剥离技术，将所述N个补偿芯片转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。4.如权利要求3所述的芯片维修方法，其特征在于，对位所述输出基板和所述接收基板后，在激光剥离的过程中，所述输出基板和所述接收基板之间具有间隙。5.如权利要求4所述的芯片维修方法，其特征在于，所述输出基板的一个表面上用于固定所述多个无缺陷芯片的材料为牺牲材料层，当激光照射所述牺牲材料层时，所述补偿芯片掉落至所述接收基板上。6.如权利要求5所述的芯片维修方法，其特征在于，所述接收基板的表面设有粘接材料层，所述粘性材料层用于固定所述补偿芯片。7.如权利要求3所述的芯片维修方法，其特征在于，在对位所述输出基板和所述接收基板之前，在所述输出基板和或所述接收基板上设置限位件，所述限位件用于保证所述输出基板和所述接收基板之间形成所述间隙。8.如权利要求7所述的芯片维修方法，其特征在于，所述限位件分布于所述输出基板和或所述接收基板的边缘区域，所述边缘区域包围所述输出基板和或所述接收基板上用于设置芯片的区域。9.如权利要求8所述的芯片维修方法，其特征在于，所述限位件分布于所述输出基板和或所述接收基板上相邻的芯片之间。10.如权利要求1所述的芯片维修方法，其特征在于，将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置的步骤包括：提供带有多个印章端子的弹性印章，将所述弹性印章与所述输出基板对位，且所述多个印章端子中的N个印章端子吸附所述输出基板上的所述N个补偿芯片；将所述弹性印章与所述接收基板对位，并将吸附在所述N个印章端子上的所述N个补偿芯片转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。11.如权利要求10所述的芯片维修方法，其特征在于，通过激光剥离技术将所述输出基板上被选定的所述N个补偿芯片转移到坐标对应的所述N个印章端子上。12.如权利要求10所述的芯片维修方法，其特征在于，所述N个印章端子采用静电力、或磁力、或范德华力、或粘接力的方式吸附所述N个补偿芯片。13.如权利要求10所述的芯片维修方法，其特征在于，所述弹性印章设有加热件，通过所述加热件加热所述弹性印章，使得所述N个印章端子上的所述N个补偿芯片转移并键合至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片处的位置。14.如权利要求13所述的芯片维修方法，其特征在于，所述加热装置和所述印章端子分别位于所述弹性印章的相背的两面。15.一种芯片维修设备，其特征在于，所述芯片维修设备包括：测试装置，用于测试所述接收基板，从位于所述接收基板的一个表面上的多个芯片中检测出N个缺陷芯片，并获取每一个所述缺陷芯片的坐标信息，N为大于或等于2的整数；对位及转移装置，用于根据所述接收基板上的所述N个缺陷芯片的坐标信息，从位于输出基板的一个表面上的多个无缺陷芯片中确定出N个所述无缺陷芯片作为补偿芯片，并将所述N个补偿芯片批量转移至所述接收基板上的对应的所述缺陷芯片的位置。16.如权利要求15所述的芯片维修设备，其特征在于，所述对位及转移装置包括移动装置和激光剥离模块，所述激光剥离模块通过激光烧蚀的工艺使所述坐标信息所对应的所述N个补偿芯片从输出基板上脱落；所述移动装置用于将输出基板与接收基板对位和移动。17.如权利要求15所述的芯片维修设备，其特征在于，所述对位及转移装置包括激光剥离装置、移动装置和弹性印章，所述弹性印章包括多个印章端子，所述多个印章端子用于吸附所述输出基板上的所述N个补偿芯片；所述激光剥离模块通过激光烧蚀的工艺使所述坐标信息所对应的所述N个补偿芯片从输出基板上脱落；所述移动装置用于所述弹性印章、所述输出基板及接收基板的对位和移动。

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