申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2019-10-22

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN110729160B

主分类号：H01J23/24(20060101)

分类号：H01J23/24(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.23#授权;2020.02.25#实质审查的生效;2020.01.24#公开

摘要：本发明公开了一种双通道交错栅慢波结构，包括矩形波导，所述矩形波导上设置有2排矩形栅，上下两排矩形栅沿周期方向交错排列，所述矩形栅的高度超出矩形波导高度的一半，所述矩形栅内设置有用于贯穿矩形波导的矩形通道，上排矩形栅内设置的矩形通道的底部与下排矩形栅的顶部齐平，下排矩形栅内设置的矩形通道的顶部与上排矩形栅的底部齐平，上排矩形通道、下排矩形通道形成双电子注通道。本发明通过在在传统交错双栅慢波结构的基础上通过增大矩形栅的高度使原本交错栅的天然电子注通道消失，同时设置2排用于贯穿矩形波导和矩形栅的矩形通道形成上排和下排的双电子注通道，有效提高了耦合阻抗，增大了输出功率和电子效率。

主权项：1.一种双通道交错栅慢波结构，包括矩形波导（1），所述矩形波导（1）上设置有2排矩形栅（2），上下两排矩形栅（2）沿周期方向交错排列，其特征在于，所述矩形栅（2）的高度超出矩形波导（1）高度的一半，所述矩形栅（2）内设置有用于贯穿矩形波导（1）的矩形通道（3），上排的矩形栅（2）内设置的矩形通道（3）的底部与下排的矩形栅（2）的顶部齐平，下排的矩形栅（2）内设置的矩形通道（3）的顶部与上排的矩形栅（2）的底部齐平，上排的矩形通道（3）、下排的矩形通道（3）形成双电子注通道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种双通道交错栅慢波结构

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