申请/专利权人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日:2020-07-16
公开(公告)日:2020-10-23
公开(公告)号:CN111564458B
主分类号:H01L27/12(20060101)
分类号:H01L27/12(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.10.23#授权;2020.09.15#实质审查的生效;2020.08.21#公开
摘要:本申请提出了一种显示面板,所述显示面板通过将第三栅极绝缘层设置于与第三栅极位置相对应的位置,并且第三栅极绝缘层覆盖部分第二薄膜晶体管中的氧化物半导体层,避免了第三栅极绝缘层呈整面设置于显示面板中,减小了显示面板中除第三栅极所在区域后其它位置的膜层厚度,便于减少第一薄膜晶体管中第一源极和第一漏极到多晶硅半导体层之间过孔的深度,降低了第一源极和第一漏极与多晶硅半导体层搭接的接触电阻;同时,也降低了显示面板位于绑定区的膜层厚度,降低了绑定区内挖孔的工艺难度,也减少了对绑定区内PADBending的影响。
主权项:1.一种显示面板,其特征在于,包括基底、以及间隔设置于所述基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管包括位于所述基底上的多晶硅半导体层、位于所述多晶硅半导体层上方的第一栅极、及分别与所述多晶硅半导体层连接的第一源极和第一漏极;所述第二薄膜晶体管包括位于所述基底上方的氧化物半导体层、位于所述氧化物半导体层上方的第三栅极、及分别与所述氧化物半导体层连接的第二源极和第二漏极;其中,所述氧化物半导体层与所述第三栅极之间设有与所述第三栅极位置相对应的第三栅极绝缘层,所述第三栅极绝缘层覆盖部分所述氧化物半导体层;所述氧化物半导体层远离所述第三栅极一侧设有第一金属层,所述第一金属层与所述氧化物半导体层之间设有第一层间绝缘层,所述第一金属层远离所述氧化物半导体层的一侧设有第二栅极绝缘层,所述第一金属层包括与所述氧化物半导体层相对设置的第二栅极;所述多晶硅半导体层和所述基底上设有第一栅极绝缘层,所述第一栅极设置于所述第一栅极绝缘层上,所述第一金属层还包括与所述第一栅极相对设置的电极板。
全文数据:
权利要求:
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