申请/专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司

申请日：2020-03-31

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN211743124U

主分类号：H01L21/77(20170101)

分类号：H01L21/77(20170101);H01L27/12(20060101);H01L27/32(20060101);G02F1/1362(20060101);G02F1/1368(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.23#授权

摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、阻挡图形、含有Cu元素的源极和漏极、防氧化图形以及钝化层，防氧化图形包括CuNx图形，CuNx图形位于含有Cu元素的源极和漏极靠近钝化层的表面；其中，栅极绝缘层覆盖栅极，阻挡图形、含有Cu元素的源极和漏极、以及防氧化图形均设置在金属氧化物半导体图形的上方，阻挡图形、含有Cu元素的源极和漏极、以及防氧化图形在衬底基板上的投影重合，且源极和漏极之间具有沟道区域。本实用新型防止源极和漏极中的Cu被含有SiOx的膜层氧化，提高阵列基板的可靠性。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、阻挡层、铜源极和铜漏极、防氧化层以及钝化层，所述防氧化层包括CuNx层，所述CuNx层位于所述铜源极和铜漏极靠近所述钝化层的表面；其中，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述阻挡层、所述铜源极和铜漏极、以及所述防氧化层均设置在所述金属氧化物半导体层的上方，所述阻挡层、所述铜源极和铜漏极、以及所述防氧化层在所述衬底基板上的投影重合，且所述源极和漏极之间具有沟道区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板及显示面板

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD