申请/专利权人:宜兴杰芯半导体有限公司
申请日:2020-04-01
公开(公告)日:2020-10-23
公开(公告)号:CN211743163U
主分类号:H01L29/06(20060101)
分类号:H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/739(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.10.23#授权
摘要:本实用新型提供一种低输入电容的IGBT,它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N‑区,在N‑区的两侧具有P阱区,在前述P阱区的内部均布置有N+源区,在两P阱区和中部N‑区交界位置的上表面均布置有栅氧区,在两栅氧区的中部布置场氧区,且前述场氧区位于N‑区的上表面,两栅氧区以及部分与对应栅氧区相邻的场氧区的上表面具有多晶栅区。本实用新型的IGBT通过在元胞区保留场氧化层并去掉该氧化层上的多晶层,保留了注入增强型优点的同时,输入电容降低了35%以上,使得芯片在相对较低的饱和压降下,提高了开关速度,降低了开关损耗。
主权项:1.一种低输入电容的IGBT,其特征是它包括从下至上依次布置的背面P注入区1和N-区2,在N-区2的两侧具有P阱区3,在前述P阱区3的内部均布置有N+源区4,在两P阱区3和中部N-区2交界位置的上表面均布置有栅氧区7,在两栅氧区7的中部布置场氧区6,且前述场氧区6位于N-区2的上表面,两栅氧区7以及部分与对应栅氧区7相邻的场氧区6的上表面具有多晶栅区5。
全文数据:
权利要求:
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