申请/专利权人：安徽大学

申请日：2020-07-14

公开（公告）日：2020-11-03

公开（公告）号：CN111883191A

主分类号：G11C11/40(20060101)

分类号：G11C11/40(20060101);G11C16/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.03#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种基于10TSRAM单元的存内逻辑运算及BCAM电路，10TSRAM单元配置两个解耦合读端口以及横纵双向字线，利用提出的10TSRAM解耦合独立端口进行存内计算和数据读取，保证了存储数据的独立性，提高了单元抗干扰能力。并且结构表现出很好的对称性特点，使存内逻辑运算和BCAM搜索可以实现横纵双向操作的优势。

主权项：1.一种基于10TSRAM单元的存内逻辑运算及BCAM电路，其特征在于，包括：由若干10TSRAM单元构成的阵列结构；所述10TSRAM单元包括：存储模块、与所述存储模块连接的左右两个写通路、以及与所述存储模块连接的左右两个解耦合的读通路；同一行10TSRAM单元的左侧解耦合的读通路均接入同一个位线RL，右侧解耦合的读通路均接入同一个位线RR与同一个字线RWR，左侧写通路和右侧写通路均接入同一个字线WL；同一列10TSRAM单元的左侧解耦合的读通路均接入同一个位线BL与同一个字线RWL，右侧解耦合的读通路均接入同一个位线BLB，左侧写通路均接入同一个位线BL，右侧写通路均接入同一个位线BLB；同一列之间通过右侧解耦合的读通路实现逐位逻辑与运算，同一行之间通过左侧解耦合的读通路实现逐位逻辑或运算；左右两个解耦合的读通路构成组成比较模块，通过横纵的双位线结构，单端读出逻辑运算结果，再综合得出匹配结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽大学 10T SRAM单元、及基于10T SRAM单元的存内逻辑运算及BCAM电路

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