申请/专利权人:北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日:2019-05-14
公开(公告)日:2020-11-17
公开(公告)号:CN111951864A
主分类号:G11C16/26(20060101)
分类号:G11C16/26(20060101);G11C16/08(20060101);G11C16/24(20060101);G11C5/14(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.10.28#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开
摘要:本发明提供了一种控制读操作的方法、装置以及Nandflash存储器。所述方法包括:接收第一读操作指令,执行对应的第一读操作,当第一读操作发生数据读取错误时,通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态,若隔离字线处于未被选通的状态,则通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压。本发明的方案检测隔离字线的选通状态,若是未选通状态,则调整给隔离字线提供工作电压的电荷泵的供电电压,实现隔离字线处于被选通状态,从而正确读取存储单元中字线上的数据,提高了Nandflash存储器字线读操作的可靠性,同时减少了读操作中读循环的次数,有利于延长Nandflash存储器中存储单元的使用寿命。
主权项:1.一种控制读操作的方法,其特征在于,所述方法应用于Nandflash存储器,所述Nandflash存储器包括:选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵,所述存储单元阵列包括:边缘字线,所述边缘字线为在所述存储单元阵列边缘位置的两个字线,所述隔离字线用于隔离所述边缘字线与所述选通管,使得边缘字线不受所述选通管的影响,所述电荷泵包括:隔离字线电荷泵,所述隔离字线电荷泵为所述隔离字线提供工作电压;所述方法包括:接收第一读操作指令;执行所述第一读操作指令对应的第一读操作;当所述第一读操作发生数据读取错误时,通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于未被选通的状态;若所述隔离字线处于未被选通的状态,则通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压,所述隔离字线调整后的工作电压的大小满足所述选通管再次对所述隔离字线进行选通所需要的电压大小。
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