申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2019-05-17
公开(公告)日:2020-11-17
公开(公告)号:CN111952304A
主分类号:H01L27/11(20060101)
分类号:H01L27/11(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.05.26#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开
摘要:一种SRAM存储器及其形成方法,方法包括:形成横跨第一鳍部和第二初始鳍部的初始栅极结构,上拉鳍切割区位于初始栅极结构的侧部;在半导体衬底、第一鳍部和第二初始鳍部上形成覆盖初始栅极结构侧壁的介质层;在介质层和初始栅极结构上形成掩膜层,掩膜层中具有掩膜开口,掩膜开口位于上拉鳍切割区上且自第二初始鳍部的延伸方向上延伸至初始栅极结构上;在掩膜开口底部的初始栅极结构中形成第一切割层,使初始栅极结构形成位于第一切割层两侧的传输栅极结构和拉栅极结构;在掩膜开口底部的介质层和第二初始鳍部中形成位于上拉鳍切割区上的第二切割层,且使第二初始鳍部形成第二鳍部。所述方法提高了SRAM存储器的性能。
主权项:1.一种SRAM存储器的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括存储单元区,存储单元区包括传输区、下拉区和上拉区,所述上拉区包括上拉鳍切割区;在传输区和下拉区上形成第一鳍部;在上拉区上形成第二初始鳍部,第二初始鳍部延伸至上拉鳍切割区上;形成横跨第一鳍部和第二初始鳍部的初始栅极结构,所述上拉鳍切割区位于初始栅极结构的侧部;在半导体衬底、第一鳍部和第二初始鳍部上形成覆盖初始栅极结构侧壁的介质层;在介质层和初始栅极结构上形成掩膜层,所述掩膜层中具有掩膜开口,所述掩膜开口位于上拉鳍切割区上且自第二初始鳍部的延伸方向上延伸至初始栅极结构上;在掩膜开口底部的初始栅极结构中形成第一切割层,使初始栅极结构形成位于第一切割层两侧的传输栅极结构和拉栅极结构,所述传输栅极结构位于传输区上;在掩膜开口底部的介质层和第二初始鳍部中形成位于上拉鳍切割区上的第二切割层,且使第二初始鳍部形成位于第二切割层侧部的第二鳍部,第一切割层位于第二鳍部的顶部表面。
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权利要求:
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