申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司

申请日：2019-05-30

公开（公告）日：2020-11-17

公开（公告）号：CN111952320A

主分类号：H01L27/11582(20170101)

分类号：H01L27/11582(20170101)

优先权：["20190515 TW 108116756"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明公开一种非挥发性存储器结构，其包括基底与多个存储单元。存储单元堆叠设置在基底上。每个存储单元包括栅极结构与电荷捕捉层。电荷捕捉层位于栅极结构的一侧。相邻两个存储单元中的相邻两个电荷捕捉层实体上彼此分离。

主权项：1.一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括基底；以及多个存储单元，堆叠设置在所述基底上，其中每个存储单元包括：栅极结构；以及电荷捕捉层，位于所述栅极结构的一侧，其中相邻两个存储单元中的相邻两个电荷捕捉层实体上彼此分离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 非挥发性存储器结构

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