申请/专利权人:力晶积成电子制造股份有限公司
申请日:2019-05-28
公开(公告)日:2020-11-17
公开(公告)号:CN111952314A
主分类号:H01L27/11568(20170101)
分类号:H01L27/11568(20170101);H01L27/11573(20170101)
优先权:["20190515 TW 108116754"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开
摘要:本发明公开一种非挥发性存储器结构,其包括基底、堆叠结构、导体柱、通道层、电荷存储结构与第二介电层。堆叠结构设置在基底上,且具有开口。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层。导体柱设置在开口中。通道层设置在堆叠结构与导体柱之间。电荷存储结构设置在堆叠结构与通道层之间。第二介电层设置在通道层与导体柱之间。上述非挥发性存储器结构可有效地提升存储器元件的电性效能及可靠度。
主权项:1.一种非挥发性存储器结构,其特征在于,包括:基底;堆叠结构,设置在所述基底上,且具有开口,其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层;导体柱,设置在所述开口中;通道层,设置在所述堆叠结构与所述导体柱之间;电荷存储结构,设置在所述堆叠结构与所述通道层之间;以及第二介电层,设置在所述通道层与所述导体柱之间。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 力晶积成电子制造股份有限公司 非挥发性存储器结构
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