申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-02-26

公开（公告）日：2020-11-17

公开（公告）号：CN111952441A

主分类号：H01L43/08(20060101)

分类号：H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);H01L27/22(20060101)

优先权：["20190514 US 16/411,761"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.11.04#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.11.17#公开

摘要：本发明实施例提供一种存储器装置，其包括自由层、穿隧阻挡层、盖层及分流结构。穿隧阻挡层位于半导体基板上的参考层上。自由层位于穿隧阻挡层上，且盖层位于自由层上。分流结构包括导电材料，并由自由层的外侧侧壁垂直地连续延伸至盖层的外侧侧壁。

主权项：1.一种存储器装置，包括：一穿隧阻挡层，位于一半导体基板上的一参考层上；一自由层，位于该穿隧阻挡层上；一盖层，位于该自由层上；以及一分流结构，包括一导电材料并自该自由层的外侧侧壁垂直地连续延伸至该盖层的外侧侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器装置

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