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【发明公布】沉积方法_SPTS科技有限公司_202010378350.7 

申请/专利权人:SPTS科技有限公司

申请日:2020-05-07

公开(公告)日:2020-11-17

公开(公告)号:CN111945110A

主分类号:C23C14/06(20060101)

分类号:C23C14/06(20060101);C23C14/34(20060101);H03H3/02(20060101)

优先权:["20190515 GB 1906840.2"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.05.27#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要:本公开的实施例涉及沉积方法。本公开的一些实施例公开了一种溅射沉积含添加剂的氮化铝薄膜的方法,所述含添加剂的氮化铝薄膜含有选自钪或钇的添加剂元素,所述方法包括以下步骤:通过脉冲DC反应溅射将含添加剂的氮化铝薄膜的第一层沉积到设置在腔室内的衬底上;以及通过脉冲DC反应溅射在第一层上沉积含添加剂的氮化铝薄膜的第二层,第二层具有与第一层相同的成分。

主权项:1.一种溅射沉积含添加剂的氮化铝薄膜的方法,所述薄膜含有选自钪或钇的添加剂元素,所述方法包括以下步骤:通过脉冲DC反应溅射将所述含添加剂的氮化铝薄膜的第一层沉积到设置在腔室内的衬底上;以及通过脉冲DC反应溅射在所述第一层上沉积所述含添加剂的氮化铝薄膜的第二层,所述第二层具有与所述第一层相同的成分;其中:沉积所述第一层的步骤包括以一定流速sccm将气体或气体混合物引入所述腔室,且87-100%的所述流速sccm是氮气流;沉积所述第二层的步骤包括以一定流速sccm将气体混合物引入所述腔室,所述气体混合物包括氮气和惰性气体;以及在沉积所述第一层的步骤中使用的所述流速sccm中的氮气百分比大于在沉积所述第二层的步骤中使用的所述流速sccm中的氮气百分比。

全文数据:

权利要求:

百度查询: SPTS科技有限公司 沉积方法

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