申请/专利权人：加川清二

申请日：2016-09-13

公开（公告）日：2020-11-17

公开（公告）号：CN107135635B

主分类号：H05K9/00(20060101)

分类号：H05K9/00(20060101)

优先权：["20160226 JP 2016-036465"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.17#授权;2019.03.01#实质审查的生效;2017.09.05#公开

摘要：本发明提供一种近场电磁波吸收薄膜，其于设置在塑料薄膜的一面的金属薄膜具有交叉的2个方向的多个激光束冲孔孔洞列，各列中的多个激光束冲孔孔洞至少局部地空出间隔排列，2个方向的激光束冲孔孔洞列以45～90°的角度交叉，激光束冲孔孔洞形成后残留下的金属薄膜部分包括被激光束冲孔孔洞列间隔开的宽幅残留部、和将相邻的宽幅残留部连结的桥状残留部，桥状残留部具有20μm以下的宽度，再者具有50～300Ω100cm2的电阻值及30～80％的透光率波长为660nm的激光光线。

主权项：1.一种近场电磁波吸收薄膜，其具有塑料薄膜、和设置在该塑料薄膜的一面的单层或多层的金属薄膜，所述近场电磁波吸收薄膜的特征在于，在所述金属薄膜的整面形成交叉的2个方向的多个激光束冲孔孔洞列，在各激光束冲孔孔洞列，多个圆形的激光束冲孔孔洞以空出间隔而分离的状态排列，2个方向的所述激光束冲孔孔洞列以45～90°的角度交叉，在所述2个方向的激光束冲孔孔洞列的交叉部，一个方向的激光束冲孔孔洞列中的相邻的一个以上的激光束冲孔孔洞、和与所述一个方向的激光束冲孔孔洞列交叉的另一方向的激光束冲孔孔洞列中的相邻的一个以上的激光束冲孔孔洞重复，且形成包含3～8个激光束冲孔孔洞的分离的一体开口部，并且不存在未形成所述一体开口部而孤立的激光束冲孔孔洞，所述分离的一体开口部形成后残留下的金属薄膜部分包括：被所述分离的一体开口部间隔开的宽幅残留部；和将相邻的所述宽幅残留部连结的桥状残留部，并且全部所述宽幅残留部经由所述桥状残留部而连结，所述桥状残留部具有2～15μm的宽度，再者，该近场电磁波吸收薄膜具有50～300Ω100cm2的电阻值及30～80％的透光率，其中透光率针对波长为660nm的激光光线。

全文数据：近场电磁波吸收薄膜技术领域[0001]本发明涉及具有高电磁波吸收能的近场电磁波吸收薄膜。背景技术[0002]防止电磁波的泄漏及进入电磁波吸收片被使用于移动电话、智能电话、无线LAN等通信设备、或计算机等电子设备中。当前广泛使用的电磁波吸收片由金属的片或网构成，但最近也提出在塑料片形成了金属蒸镀膜的电磁波吸收片。例如JP特开平9-148782号公报提出以下电磁波吸收片，其由塑料薄膜、及在其双面形成的第一及第二铝蒸镀膜构成，第一铝蒸镀膜被蚀刻成非导通的线状图案，第二铝蒸镀膜被蚀刻成网眼状的导通图案。[0003]再有，WO2010093027公开了一种复合薄膜，其具有塑料薄膜、及设置在其至少一面的单层或多层的金属薄膜，多个实质上平行且断续的线状痕以不规则的宽度及间隔而沿多个方向形成于所述金属薄膜，由此降低了电磁波吸收能的各向异性。[0004]JP特开平9-148782号公报的电磁波吸收片及WO2010093027的带线状痕的金属薄膜-塑料复合薄膜中，虽然通过线状图案或线状痕而能获得电磁波吸收能，但另外也期望利用激光束的点状的图案高效地获得具有优异的电磁波吸收能的电磁波吸收薄膜。发明内容[0005]因此，本发明的目的在于，提供一种通过在金属薄膜形成激光束冲孔孔洞而具有良好的电磁波吸收能、并且其各向异性低的近场电磁波吸收薄膜。[0006]鉴于上述目的而专心研究的结果，本发明人发现：（a在已形成于塑料薄膜的金属薄膜上将至少局部地空出间隔而被排列的多个激光冲孔孔洞列形成于2个方向，由此构成的近场电磁波吸收薄膜不仅具有优异的电磁波吸收能，而且电磁波吸收能的各向异性低，由此想到了本发明。[0007]S卩，本发明的近场电磁波吸收薄膜具有塑料薄膜、设置在塑料薄膜的一面的单层或多层的金属薄膜，其特征在于，[0008]在所述金属薄膜形成交叉的2个方向的多个激光束冲孔孔洞列，[0009]各列中的多个所述激光束冲孔孔洞至少局部地空出间隔排列，[0010]2个方向的所述激光束冲孔孔洞以45〜90°的角度交叉，[0011]所述激光束冲孔孔洞形成后残留下的金属薄膜部分包括:被所述激光束冲孔孔洞列间隔开的宽幅残留部;和将相邻的所述宽幅残留部连结的桥状残留部，[0012]所述桥状残留部具有20μπι以下的宽度，[0013]再者，该近场电磁波吸收薄膜具有50〜300ΩIOOcm2的电阻值及30〜80%的透光率，其中透光率针对波长为660nm的激光光线。[0014]所述桥状残留部优选具有2〜15μπι的平均宽度。[0015]所述激光冲孔孔洞列是交叉角优选为60〜90°。[0016]所述激光冲孔孔洞的直径优选为ΙΟΟμπι以下。[0017]相邻的所述激光束冲孔孔洞列的中心线间距离优选为所述激光束冲孔孔洞的直径的1.5〜5倍。[0018]所述金属薄膜的厚度优选为10〜300nm。[0019]所述金属薄膜优选由从铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及这些的合金所构成的群中被选出的至少一种金属构成。附图说明[0020]图1是表示基于本发明一实施方式的近场电磁波吸收薄膜的局部放大俯视图。[0021]图2a是图1的A-A剖视图。[0022]图2b是图1的B-B剖视图。[0023]图3是图1的局部放大图。[0024]图4是表示基于本发明的其他实施方式的近场电磁波吸收薄膜的局部放大俯视图。[0025]图5是图4的局部放大图。[0026]图6a是表示测定近场电磁波吸收薄膜的电阻值的装置的立体图。[0027]图6b是表示利用图6a的装置来测定近场电磁波吸收薄膜的电阻值的样子的俯视图。[0028]图6c是图6b的C-C剖视图。[0029]图7a是表示评价近场电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能的系统的俯视图。[0030]图7b是表示评价近场电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能的系统的部分剖面主视图。[0031]图8是表示实施例1的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。[0032]图9是表示比较例1的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。[0033]图10是表示比较例2的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。[0034]图11是针对实施例1及比较例1及2的近场电磁波吸收薄膜而表示Sn与入射电波的频率的关系的图表。[0035]图12是针对实施例1及比较例1及2的近场电磁波吸收薄膜而表示传输衰减率Rtp与入射电波的频率的关系的图表。[0036]图13是表示实施例2的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。[0037]图14是表示比较例3的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。[0038]图15是表示比较例4的近场电磁波吸收薄膜的显微镜照片。[0039]图16是针对实施例2及比较例3及4的近场电磁波吸收薄膜而表示Sn与入射电波的频率的关系的图表。[0040]图17是针对实施例2及比较例3及4的近场电磁波吸收薄膜而表示传输衰减率Rtp与入射电波的频率的关系的图表。[0041]图18是针对实施例2的近场电磁波吸收薄膜而表不噪声吸收率PiossPin与入射电波的频率的关系的图表。[0042]-符号说明-[0043]1···近场电磁波吸收薄膜[0044]10···塑料薄膜[0045]11···金属薄膜[0046]11a···残留金属薄膜部分[0047]12···激光束冲孔孔洞[0048]12a、12b···激光束冲孔孔洞列[0049]13···宽幅残留部[0050]14···桥状残留部[0051]112···—体的开口部[0052]12〇···电极[0053]121···电极主体部[0054]122···电极延长部[0055]130···透明丙烯板[0056]140···圆柱状测锤[0057]220···绝缘基板[0058]221···接地电极[0059]222···导电性管脚[0060]223···同轴线缆[0061]D···激光束冲孔孔洞的直径[0062]W···桥状残留部的宽度[0063]T···相邻的激光束冲孔孔洞列的中心线间距离[0064]TPUTP2···近场电磁波吸收薄膜的试验片[0065]MSL···微带线[0066]NA···网络分析仪具体实施方式[0067]参照附图详细地说明本发明的实施方式，但如果没有特地通知，那么与一个实施方式相关的说明也能应用于其他实施方式。再有，下述说明并非是限定性的，在本发明的技术思想的范围内也可以进行各种变更。[0068][1]近场电磁波吸收薄膜[0069]图1及图2表示基于本发明的优选一实施方式的近场电磁波吸收薄膜1。该近场电磁波吸收薄膜1在塑料薄膜10的一面形成单层或多层的金属薄膜11，且在金属薄膜11上多列激光冲孔孔洞12形成于交叉的2个方向。[0070]⑴塑料薄膜[0071]形成塑料薄膜10的树脂只要具有绝缘性，并且具有足够的强度、可挠性及加工性，就不被特地限制，例如可列举聚酯（聚对苯二甲酸乙二酯PET等）、聚芳基硫醚聚苯硫醚等）、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯树脂、聚苯乙烯、聚烯烃聚乙烯、聚丙烯等等。从强度及成本的观点来说，优选聚对苯二甲酸乙二酯PET。塑料薄膜10的厚度最好为10〜IOOwn左右。[0072]⑵金属薄膜[0073]形成金属薄膜11的金属只要具有导电性，就并不特地加以限定，但从耐腐蚀性及成本的观点来说优选铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及这些的合金，特别优选铝、铜、镍及这些的合金。金属薄膜的厚度优选为10〜30〇111]1，更优选20〜20〇111]1，最优选30〜15〇111]1。金属薄膜11能通过蒸镀法真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理蒸镀法、或等离子CVD法、热CVD法、光CVD法等化学气相蒸镀法）、镀覆法或箱接合法来形成。[0074]在金属薄膜11为单层的情况下，金属薄膜11从导电性、耐腐蚀性及成本的观点来说优选由铝或镍构成。再有，在金属薄膜11为复层的情况下，也可以一方通过非磁性金属来形成、另一方通过磁性金属来形成。作为非磁性金属可列举铝、铜、银、锡或这些的合金，作为磁性金属可列举镍、钴、铬或这些的合金。只要合计厚度在上述范围内，那么非磁性金属层的厚度及磁性金属层的厚度并不特地加以限定。[0075]⑶激光冲孔孔洞列[0076]如图1〜图3所示，各激光冲孔孔洞12是通过向金属薄膜11照射激光束光点而使金属蒸发来形成的大致圆形的开口部，但塑料薄膜10并未开口。各激光束冲孔孔洞12的直径D优选为IOOMi以下，更优选为40〜80μηι。[0077]多列激光束冲孔孔洞12沿交叉的2个方向而排列于金属薄膜11。通过交叉的激光束冲孔孔洞列12a、12b而被间隔开的金属薄膜11成为各个宽幅残留部13。在各激光束冲孔孔洞列12a、12b中，由于多个激光束冲孔孔洞12至少局部地空出间隔而被排列，但间隔部分的金属薄膜11作为宽度窄的桥状残留部14而残留下来。因此，形成激光束冲孔孔洞12后残留下来的金属薄膜部分残留金属薄膜部分）由宽幅残留部13及宽度窄的桥状残留部14构成。[0078]两方的激光束冲孔孔洞列12a、12b中，优选激光束冲孔孔洞12至少局部地存在间隙。桥状残留部14的宽度W为20μπι以下，优选处于1〜15μπι的范围内。因此，桥状残留部14的最大宽度Wmax为20μηι，优选为15μηι。再有，桥状残留部14的平均宽度Wav为2〜15μηι，优选为3〜IOum0[0079]为了使桥状残留部14具有不同的宽度W，也可以以不同的间隔向金属薄膜11照射激光束光点。[0080]虽然激光束光点自身是圆形的，但通过激光束光点而蒸发的金属薄膜的区域并不是完整的圆形，因与相邻的激光束冲孔孔洞12的干涉而存在具有非常不规则的轮廓的倾向。例如，在相邻的激光束冲孔孔洞12之间没有间隙的情况下，两激光束冲孔孔洞12、12有可能接合或桥状残留部14的宽度变得过小。认为这是因为相邻的激光束光点间产生的金属凝固而形成过窄的桥状残留部14的缘故。这样，即便以相同的间隔排列激光束光点，通过金属薄膜11的蒸发而实际上形成的激光束冲孔孔洞12间隔也不会变为相同，因此桥状残留部14在20μπι以下的范围内具有不同的宽度W。为此，本发明的近场电磁波吸收薄膜1相对于宽范围的频率而具有优异的电磁波吸收能。[0081]2个方向的激光束冲孔孔洞列12a、12b以45〜90°的交叉角Θ交叉。由此，不仅能够得到较高的电磁波吸收能，而且电磁波吸收能的各向异性也降低。若交叉角Θ低于45°，则电磁波吸收能不能充分地发挥。在交叉角Θ为90°之时，电磁波吸收能变为最大。优选交叉角Θ为60〜90°。[0082]相邻的激光束冲孔孔洞列12a、12b的中心线间距离T对宽幅残留部13的大小有影响。由于宽幅残留部13的大小对近场电磁波吸收薄膜1的电阻值即电磁波吸收能有影响，故需要设定相邻的激光束冲孔孔洞列12a、12b的中心线间距离T，以便能够得到所期望的电阻值。具体是，相邻的激光束冲孔孔洞列12a、12b的中心线间距离T优选为100〜400μπι，更优选为150〜300μπι。[0083]图4及图5表示基于本发明的其他优选实施方式的近场电磁波吸收薄膜100。该近场电磁波吸收薄膜100具有多个激光束冲孔孔洞12连结而成为一体的开口部金属薄膜的消失部）112。结果，激光束冲孔孔洞12形成后残留下来的金属薄膜部分由被一体的开口部112间隔开的宽幅残留部13、和将相邻的宽幅残留部13连结的桥状残留部14构成。该实施方式中，由于宽幅残留部13较小，故宽幅残留部13与桥状残留部14所构成的残留金属薄膜部分Ila整体上可看成网眼状。[0084]本实施方式中，也可以以不同的间隔向金属薄膜11照射激光束光点，以使得连接一部分相邻的激光束冲孔孔洞12。[0085]宽幅残留部13的大小根据桥状残留部14的宽度W及数量、金属薄膜11的种类（电阻及厚度等而不同。一般，形成金属薄膜11的金属的电阻越大、金属薄膜11变得越薄，则宽幅残留部13变得越大。专心研究的结果，可知:近场电磁波吸收薄膜1的电磁波吸收能依存于激光束冲孔孔洞12形成后残留下来的金属薄膜部分残留金属薄膜部分Ila=宽幅残留部13+桥状残留部14的大小及电阻。具体是，具有50〜300ΩIOOcm2的电阻值及30〜80%的透光率波长为660nm的激光光线）的情况下，近场电磁波吸收薄膜1针对宽范围的频率的电磁波而具有优异的吸收能且各向异性低。[0086]⑷电阻值[0087]具有残留金属薄膜部分Ila的近场电磁波吸收薄膜1的电阻值是利用图6a〜图6c所示的装置且通过加压下的直流二端子法简单称为“加压二端子法”）来测定的。具体是，在以残留金属薄膜部分Ila为上而载置在硬质的绝缘性平坦面上的近场电磁波吸收薄膜1的正方形试验片TPlIOcmXIOcm的对置边部，载置长度IOcmX宽度IcmX厚度0.5mm的电极主体部121、和从电极主体部121的中央侧部延伸的宽度IGmX厚度0.5mm的电极延长部122所构成的一对电极120、120,在这些之上安放IOcmXIOcmX厚度5mm的透明丙烯板130，以便将试验片TPl与两电极120、120完全地覆盖，在透明丙烯板130之上安放直径IOcm的圆柱状测锤1403.85kg后，根据在两电极延长部222、222间流动的电流来求取近场电磁波吸收薄膜1的电阻值。[0088]需要近场电磁波吸收薄膜1的电阻值处于50〜300ΩIOOcm2的范围内。若电阻值低于50ΩIOOcm2或超过300ΩIOOcm2，则近场电磁波吸收薄膜1不具有足够的电磁波吸收能。近场电磁波吸收薄膜1的电阻值优选为60〜250Ωl〇〇cm2,更优选为80〜200Ωl〇〇cm2。[0089]5透光率[0090]近场电磁波吸收薄膜1的电磁波吸收能也依存于残留金属薄膜部分Ila宽幅残留部13+桥状残留部14的面积率。由于残留金属薄膜部分Ila实质上是不透光性的，故残留金属薄膜部分Ila的面积率能通过近场电磁波吸收薄膜1的透光率来表示。近场电磁波吸收薄膜1的透光率是利用波长660nm的激光光线来测定的。[0091]近场电磁波吸收薄膜1的透光率需要处于30〜80%的范围内。若透光率低于30%，则残留金属薄膜部分Ila的面积率过大，电磁波反射率高而电磁波噪声的吸收能低。另一方面，若透光率超过80%，则残留金属薄膜部分Ila面积率过小，电磁波吸收能不充分。近场电磁波吸收薄膜1的透光率优选为35〜70%。[0092]⑶保护层[0093]优选在具有交叉的2个方向的多列激光束冲孔孔洞12的金属薄膜的表面形成塑料保护层未图示）。塑料保护层用的塑料薄膜可以与塑料薄膜10相同。塑料保护层的厚度优选为10〜ΙΟΟμπι左右。为了防止脱离，作为保护层优选将塑料薄膜热层压于近场电磁波吸收薄膜1上。在塑料保护层由PET薄膜构成的情况下，热层压温度最好为110〜150Γ。[0094][2]近场电磁波吸收薄膜的电磁波吸收能[0095]1传输衰减率[0096]利用由50Ω的微带线MSL64.4mmX4.4mm、支承微带线MSL的绝缘基板220、被接合于绝缘基板220的下表面的接地电极221、被连接至微带线MSL的两端的导电性管脚222、222、网络分析仪NA、将网络分析仪NA连接于导电性管脚222、222的同轴线缆223、223所构成的图7a及图7b所示的系统，通过粘接剂将近场电磁波吸收薄膜1的试验片TP2粘贴于微带线MSL，针对0·1〜6GHz的入射波测定反射波的电力Sn及透过波的电力S21，并通过下述式1来求取传输衰减率Rtp:[0097]Rtp=-IOXlog[10S211V卜l0S1110]···⑴。[0098]2噪声吸收率[0099]在图7a及图7b所示的系统中，已入射的电力Pin=反射波的电力Sn+透过波的电力S2I+被吸收的电力（电力损耗Plciss成立。因此，通过从已入射的电力Pin中减去反射波的电力Sn及透过波的电力S21，来求取电力损耗Plciss，再将Piciss除以入射电力Pin来求取噪声吸收率plQSSpin。[0100]虽然根据以下的实施例更详细地说明本发明，但本发明并未被限定于这些。[0101]实施例1、及比较例1及2[0102]针对通过真空蒸镀法已在厚度16μπι的PET薄膜10形成的厚度80nm的各Al薄膜11，利用3-Axis混合式激光器制造商MD-X1000株式会社奇恩斯制并以表1所示的条件，将直径60μπι的激光束冲孔孔洞12形成为交叉的2个方向的多列，由此制作了图8〜图10所示的近场电磁波吸收薄膜1。[0103]针对从各近场电磁波吸收薄膜1切出的正方形的试验片TPlIOcmXIOcm，利用段落[1]的⑷所述的方法而测定了电阻值。再有，利用波长660nm的激光光线而测定了各近场电磁波吸收薄膜1的透光率。结果如表1所示。[0104]【表1】[0105][0106]注：（1激光束冲孔孔洞列的交叉角θ。[0107]⑵在桥状残留部测定。[0108]通过粘接剂将从各近场电磁波吸收薄膜1切出的试验片ΤΡ255.2mmX4.7mm粘贴于图7a及图7b所示的系统的微带线MSL，测定了相对于0.1〜6GHz的频率范围的入射电力Pin的反射波的电力Sn及透过波的电力S21。通过段落[2]的（1及2所述的方法，测定反射波的电力Sn及透过波的电力S21，并求出0.1〜6GHz的频率范围内的sn、及传输衰减率Rtp。将0.1〜6GHz的频率范围内的Sn示于图11、将传输衰减率Rtp示于图12。根据图11可知，激光束冲孔孔洞12过少（电阻值及透光率过小）的比较例1，反射波过多。再有，根据图12可知，激光束冲孔孔洞12过剩电阻值过大的比较例2,传输衰减率Rtp较低。[0109]实施例2、及比较例3及4[0110]针对通过真空蒸镀法厚度已在161tm的PET薄膜10形成的厚度50nm的各Ni薄膜11，利用3-Axis混合式激光器制造商MD-X1000株式会社奇恩斯制并以表1所示的条件，将直径60μπι的激光束冲孔孔洞12形成交叉的2个方向的多列，由此制作了图13〜图15所示的近场电磁波吸收薄膜1。通过与实施例1相同的方法，测定了各近场电磁波吸收薄膜1的电阻值及透光率。将结果示于表2。[0111]【表2】[0112][0113]注：（1激光束冲孔孔洞列的交叉角Θ。[0114]2在桥状残留部测定。[0115]以与实施例1相同的方法求出各近场电磁波吸收薄膜1的0.1〜6GHz的频率范围内的Sn、传输衰减率IUp及噪声吸收率PiossPin。将0.1〜6GHz的频率范围内的Sn示于图16、将传输衰减率Rtp示于图17。再有，将实施例2的噪声吸收率PicissA3in示于图18。根据图16可知，激光束冲孔孔洞12过少（电阻值及透光率过小）的比较例3,反射波过多。再有，根据图17可知，激光束冲孔孔洞12过剩（电阻值过大的比较例4,传输衰减率Rtp较低。进而根据图18可知，激光束冲孔孔洞12、电阻值及透光率满足本发明的要件的实施例2,示出了较高的噪声吸收率plQSSpin。[0116]本发明的近场电磁波吸收薄膜在金属薄膜上形成2个方向的激光冲孔孔洞列，各列中的多个激光束冲孔孔洞至少局部地空出间隔而排列，激光束冲孔孔洞形成后残留下来的金属薄膜由被激光束冲孔孔洞列间隔开的宽幅残留部和连结这些宽幅残留部的宽度窄的桥状残留部构成，再者具有50〜300ΩIOOcm2的电阻值及30〜80%的透光率（波长为660nm的激光光线），因此不仅具有优异的电磁波吸收能，而且其各向异性也小。具有这种特征的本发明的近场电磁波吸收薄膜适于用作移动电话、智能电话、无线LAN等通信设备、或计算机等电子设备的噪声抑制片。

权利要求：1.一种近场电磁波吸收薄膜，其具有塑料薄膜、和设置在该塑料薄膜的一面的单层或多层的金属薄膜，所述近场电磁波吸收薄膜的特征在于，在所述金属薄膜形成交叉的2个方向的多个激光束冲孔孔洞列，各列中的多个所述激光束冲孔孔洞至少局部地空出间隔排列，2个方向的所述激光束冲孔孔洞列以45〜90°的角度交叉，所述激光束冲孔孔洞形成后残留下的金属薄膜部分包括:被所述激光束冲孔孔洞列间隔开的宽幅残留部;和将相邻的所述宽幅残留部连结的桥状残留部，所述桥状残留部具有20mi以下的宽度，再者，该近场电磁波吸收薄膜具有50〜300ΩIOOcm2的电阻值及30〜80%的透光率，其中透光率针对波长为660nm的激光光线。2.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜，其特征在于，所述桥状残留部具有2〜15μπι的平均宽度。3.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜，其特征在于，所述激光冲孔孔洞列的交叉角为45〜90°。4.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜，其特征在于，所述激光冲孔孔洞的直径为IOOym以下。5.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜，其特征在于，相邻的所述激光束冲孔孔洞列的中心线间距离为所述激光束冲孔孔洞的直径的1.5〜5倍。6.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收薄膜，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为10〜300nm。7.根据权利要求1〜6中任一项所述的近场电磁波吸收薄膜，其特征在于，所述金属薄膜由从铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及这些金属的合金所构成的群中被选出的至少一种金属构成。

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