申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2017-06-27

公开（公告）日：2020-11-17

公开（公告）号：CN109147860B

主分类号：G11C29/56(20060101)

分类号：G11C29/56(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.17#授权;2019.01.29#实质审查的生效;2019.01.04#公开

摘要：本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。

主权项：1.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞，用以存储数据；以及存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，用以对所述多个存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生第一读取电流，然后对所述多个存储器晶胞当中的所述目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者中的另外一者以产生第二读取电流，接收所述目标存储器晶胞的所述第一读取电流以及所述第二读取电流，比较所述第一读取电流与第一参考电流以及比较所述第二读取电流与第二参考电流以产生比较结果，并且依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败。

全文数据：存储器存储装置及其测试方法技术领域本发明涉及一种电子装置及其测试方法，尤其涉及一种存储器存储装置及其测试方法。背景技术目前，电阻式随机存取存储器resistiverandomaccessmemory，RRAM是业界积极发展的一种非易失性存储器，其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、存储时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及所需面积小等优点。一般来说，电阻式存储器可根据所施加的脉冲电压大小及极性来改变丝状导电路径filamentpath的宽度。藉此将电阻值可逆且非挥发地设定为低电阻状态lowresistancestate，LRS或高电阻状态highresistancestate，HRS，以分别表示不同逻辑准位的存储数据。举例来说，在写入数据逻辑1时，可通过施加重置脉冲RESETpulse来窄化丝状导电路径的宽度以形成高电阻状态。在写入数据逻辑0时，可通过施加极性相反的设定脉冲SETpulse来增加丝状导电路径的宽度以形成低电阻状态。藉此，在读取数据时，可依据不同电阻状态下产生的不同大小范围的读取电流，来读取逻辑1或逻辑0的数据。然而，由于处理上的差异，部分的存储器晶胞可能无法可靠地确保存储于其中的数据的正确性。因此，如何提供一个存储器存储装置及其测试方法，可改善存储器存储装置的耐久能力endurance、保持能力retention以及存储器晶胞cell的可靠度reliability为本领域的技术人员的重要课题之一。发明内容本发明提供一种存储器存储装置及其测试方法，可改善存储器存储装置的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞cell的可靠度。本发明的存储器存储装置包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。本发明的存储器存储装置的测试方法包括：对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流；接收目标存储器晶胞的读取电流，并且比较读取电流与参考电流；以及依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。基于上述，在本发明的示范实施例中，存储器控制电路依据读取电流与参考电流的比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败，以存储器存储装置的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1显示本发明一实施例的存储器存储装置的概要示意图；图2显示本发明一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图；图3显示本发明另一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图；图4显示本发明另一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图。附图标号说明：100：存储器存储装置110：存储器晶胞阵列120：存储器控制电路112：存储器晶胞114：目标存储器晶胞SET：设定信号RESET：重置信号I1：第一读取电流值I2：第二读取电流值Iref1：第一参考电流值Iref2：第二参考电流值S100、S110、S120、S200、S210、S220、S230、S240、S250、S260、S300、S310、S320、S330、S340、S350、S360、S372、S374、S382、S384：方法的步骤具体实施方式以下提出多个实施例来说明本发明，然而本发明不仅限于所例示的多个实施例。又实施例之间也允许有适当的结合。在本申请说明书全文包括申请专利范围中所使用的“耦接”一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以通过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。图1显示本发明一实施例的存储器存储装置的概要示意图。图2显示本发明一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图。请参考图1及图2，本实施例的存储器存储装置100包括存储器晶胞阵列110以及存储器控制电路120。存储器控制电路120耦接至存储器晶胞阵列110。存储器晶胞阵列110包括多个存储器晶胞112用以存储数据。存储器控制电路120用以控制存储器晶胞阵列110的数据的存取。在本实施例中，存储器控制电路120例如包括用来协同控制数据存取的适合的电路，其内部架构可由所属技术领域的任一种适合的电路结构来加以实施，本发明并不加以限制，其电路结构可以由所属技术领域的通常知识获致足够的教示、建议与实施说明。本实施例的存储器存储装置的测试方法至少适用于图1的存储器存储装置100，以下搭配存储器存储装置100中的各项元件说明本发明实施例的测试方法的各个步骤。在步骤S100中，存储器控制电路120用以对存储器晶胞112当中的目标存储器晶胞114施加设定信号SET以及重置信号RESET两者其中之一以产生读取电流，其读取电流值例如分别为施加设定信号SET时所得到的第一读取电流值I1，或者施加重置信号RESET时所得到的第二读取电流值I2。在本实施例中，目标存储器晶胞114例如是多个存储器晶胞112当中的任一个存储器晶胞或者预先设定与挑选的存储器晶胞。在步骤S110中，存储器控制电路120接收目标存储器晶胞114的读取电流，并且比较读取电流与参考电流的电流值的大小。在本实施例中，当存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加设定信号SET时，其读取电流的电流值例如为第一读取电流值I1。此时，与第一读取电流值I1比较的参考电流其值例如是第一参考电流值Iref1。另一方面，当存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加重置信号RESET时，其读取电流的电流值例如为第二读取电流值I2。此时，与第二读取电流值I2比较的参考电流其值例如是第二参考电流值Iref2。因此，在步骤S110中，存储器控制电路120例如比较第一读取电流值I1与第一参考电流值Iref1的大小，或者比较第二读取电流值I2与第二参考电流值Iref2的大小。在步骤S120中，存储器控制电路120依据比较结果来判断目标存储器晶胞114是否失败。所述比较结果包括读取电流值与参考电流值之间的大小关系。在本实施例中，存储器控制电路120可继续对多个存储器晶胞112当中的一部分存储器晶胞或全部的存储器晶胞进行测试，以判断其他的目标存储器晶胞114是否失败。被判断为失败的存储器晶胞在后续进行数据存取时将被屏蔽screenout而不使用，以改善存储器存储装置100的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞112的可靠度。为使本领域技术人员能更加了解本发明，以下将再举至少一实施例以详加说明。图3显示本发明另一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图。本实施例的存储器存储装置的测试方法至少适用于图1的存储器存储装置100，以下搭配存储器存储装置100中的各项元件说明本发明实施例的测试方法的各个步骤。在步骤S200中，存储器控制电路120判断目标存储器晶胞114的状态是第一状态还是第二状态。在本实施例中，第一状态例如是高电阻状态highresistancestate，HRS，第二状态例如是低电阻状态lowresistancestate，LRS。在步骤S200中，若目标存储器晶胞114的状态被判断是第一状态，存储器控制电路120执行步骤S210。在步骤S210中，存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加设定信号SET，此时，目标存储器晶胞114从第一状态转变为第二状态。并且，在步骤S210中，存储器控制电路120从目标存储器晶胞114接收具有第一读取电流值I1的读取电流。在步骤S220中，存储器控制电路120比较第一读取电流值I1与第一参考电流值Iref1的大小。在步骤S220中，经比较，若第一读取电流值I1小于第一参考电流值Iref1即I1Iref1，存储器控制电路120执行步骤S250并且判断目标存储器晶胞114为失败。在本实施例中，被判断为失败的存储器晶胞在后续进行数据存取时将被屏蔽而不使用，以改善存储器存储装置100的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。在步骤S220中，经比较，若第一读取电流值I1大于或等于第一参考电流值Iref1即I1≧Iref1，存储器控制电路120执行步骤S260并且判断目标存储器晶胞114为不失败。在步骤S200中，若目标存储器晶胞114的状态被判断是第二状态，存储器控制电路120执行步骤S230。在步骤S230中，存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加重置信号RESET，此时，目标存储器晶胞114从第二状态转变为第一状态。并且，在步骤S230中，存储器控制电路120从目标存储器晶胞114接收具有第二读取电流值I2的读取电流。在步骤S240中，存储器控制电路120比较第二读取电流值I2与第二参考电流值Iref2的大小。在步骤S240中，经比较，若第二读取电流值I2大于第二参考电流值Iref2即I2Iref2，存储器控制电路120执行步骤S250并且判断目标存储器晶胞114为失败。在本实施例中，第二参考电流值Iref2小于第一参考电流值Iref1。在本实施例中，被判断为失败的存储器晶胞在后续进行数据存取时将被屏蔽而不使用，以改善存储器存储装置100的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。在步骤S240中，经比较，若第二读取电流值I2小于或等于第二参考电流值Iref2即I2≦Iref2，存储器控制电路120执行步骤S260并且判断目标存储器晶胞114为不失败。另外，本发明的实施例的存储器存储装置的测试方法可以由图1至图2实施例的叙述中获致足够的教示、建议与实施说明，因此不再赘述。图4显示本发明另一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图。本实施例的存储器存储装置的测试方法至少适用于图1的存储器存储装置100，以下搭配存储器存储装置100中的各项元件说明本发明实施例的测试方法的各个步骤。在步骤S300中，存储器控制电路120判断目标存储器晶胞114的状态是第一状态还是第二状态。在本实施例中，第一状态例如是高电阻状态highresistancestate，HRS，第二状态例如是低电阻状态lowresistancestate，LRS。在步骤S300中，若目标存储器晶胞114的状态被判断是第一状态，存储器控制电路120执行步骤S310。在步骤S310中，存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加设定信号SET，此时，目标存储器晶胞114从第一状态转变为第二状态。并且，在步骤S310中，存储器控制电路120从目标存储器晶胞114接收具有第一读取电流值I1的读取电流。在步骤S320中，存储器控制电路120比较第一读取电流值I1与第一参考电流值Iref1的大小。在步骤S320中，经比较，若第一读取电流值I1小于第一参考电流值Iref1即I1Iref1，存储器控制电路120执行步骤S350并且判断目标存储器晶胞114为失败。在本实施例中，被判断为失败的存储器晶胞在后续进行数据存取时将被屏蔽而不使用，以改善存储器存储装置100的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。在步骤S320中，经比较，若第一读取电流值I1大于或等于第一参考电流值Iref1即I1≧Iref1，存储器控制电路120执行步骤S372。在步骤S372中，存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加重置信号RESET，此时，目标存储器晶胞114从第二状态转变为第一状态。并且，在步骤S372中，存储器控制电路120从目标存储器晶胞114接收具有第二读取电流值I2的读取电流。在步骤S374中，存储器控制电路120比较第二读取电流值I2与第二参考电流值Iref2的大小。在步骤S374中，经比较，若第二读取电流值I2大于第二参考电流值Iref2即I2Iref2，存储器控制电路120执行步骤S350并且判断目标存储器晶胞114为失败。在本实施例中，被判断为失败的存储器晶胞在后续进行数据存取时将被屏蔽而不使用，以改善存储器存储装置100的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。在步骤S374中，经比较，若第二读取电流值I2小于或等于第二参考电流值Iref2即I2≦Iref2，存储器控制电路120执行步骤S360并且判断目标存储器晶胞114为不失败。在步骤S300中，若目标存储器晶胞114的状态被判断是第二状态，存储器控制电路120执行步骤S330。在步骤S330中，存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加重置信号RESET，此时，目标存储器晶胞114从第二状态转变为第一状态。并且，在步骤S330中，存储器控制电路120从目标存储器晶胞114接收具有第二读取电流值I2的读取电流。在步骤S340中，存储器控制电路120比较第二读取电流值I2与第二参考电流值Iref2的大小。在步骤S340中，经比较，若第二读取电流值I2大于第二参考电流值Iref2即I2Iref2，存储器控制电路120执行步骤S350并且判断目标存储器晶胞114为失败。在本实施例中，被判断为失败的存储器晶胞在后续进行数据存取时将被屏蔽而不使用，以改善存储器存储装置100的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。在步骤S340中，经比较，若第二读取电流值I2小于或等于第一参考电流值Iref2即I2≦Iref2，存储器控制电路120执行步骤S382。在步骤S382中，存储器控制电路120对目标存储器晶胞114施加设定信号SET，此时，目标存储器晶胞114从第一状态转变为第二状态。并且，在步骤S382中，存储器控制电路120从目标存储器晶胞114接收具有第一读取电流值I1的读取电流。在步骤S384中，存储器控制电路120比较第一读取电流值I1与第一参考电流值Iref1的大小。在步骤S384中，经比较，若第一读取电流值I1小于第一参考电流值Iref1即I1Iref1，存储器控制电路120执行步骤S350并且判断目标存储器晶胞114为失败。在本实施例中，被判断为失败的存储器晶胞在后续进行数据存取时将被屏蔽而不使用，以改善存储器存储装置100的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。在步骤S384中，经比较，若第一读取电流值I1大于或等于第一参考电流值Iref1即I1≧Iref1，存储器控制电路120执行步骤S360并且判断目标存储器晶胞114为不失败。在本实施例中，被施加设定信号SET的目标存储器晶胞114通过测试后步骤S320会再被施加重置信号RESET步骤S372以再次确认目标存储器晶胞114是否通过测试步骤S374。在本实施例中，被施加重置信号RESET的目标存储器晶胞114通过测试后步骤S340会再被施加设定信号SET步骤S382以再次确认目标存储器晶胞114是否通过测试步骤S384。另外，本发明的实施例的存储器存储装置的测试方法可以由图1至图3实施例的叙述中获致足够的教示、建议与实施说明，因此不再赘述。综上所述，在本发明示范实施例中，存储器控制电路依据目标存储器晶胞的状态来决定在测试时施加设定信号或重置信号给目标存储器晶胞以接收读取电流。接着，存储器控制电路依据读取电流与参考电流的比较结果来判断目标存储器晶胞是否通过测试。若目标存储器晶胞没有通过测试而被判定为失败，在后续进行数据存取时将被屏蔽而不使用，以改善存储器存储装置的整体的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定的为准。

权利要求：1.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞，用以存储数据；以及存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，用以对所述多个存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流，接收所述目标存储器晶胞的所述读取电流，比较所述读取电流与参考电流，并且依据比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败。2.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞的状态是第一状态还是第二状态。3.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第一状态，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，其中所述读取电流具有第一读取电流值，所述参考电流具有第一参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，若所述第一读取电流值小于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败。4.根据权利要求3所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。5.根据权利要求3所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，其中所述读取电流具有第二读取电流值，所述参考电流具有第二参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。6.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第二状态，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，其中所述读取电流具有第二读取电流值，所述参考电流具有第二参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败。7.根据权利要求6所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。8.根据权利要求6所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，其中所述读取电流具有第一读取电流值，其中所述参考电流具有第一参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，若所述第一读取电流值大于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败，若所述第二读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。9.一种存储器存储装置的测试方法，其特征在于，所述存储器存储装置多个存储器晶胞，用以存储数据，所述测试方法包括：对所述多个存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流；接收所述目标存储器晶胞的所述读取电流，并且比较所述读取电流与参考电流；以及依据比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，还包括：判断所述目标存储器晶胞的状态是第一状态还是第二状态。11.根据权利要求10所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第一状态，对所述多个存储器晶胞当中的所述目标存储器晶胞施加所述设定信号以及所述重置信号两者其中之一以产生所述读取电流的步骤包括对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，以及所述读取电流具有第一读取电流值，所述参考电流具有第一参考电流值，比较所述读取电流与所述参考电流的步骤包括比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，以及若所述第一读取电流值小于所述第一参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤包括判断所述目标存储器晶胞为失败。12.根据权利要求11所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤还包括判断所述目标存储器晶胞为不失败。13.根据权利要求11所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，对所述多个存储器晶胞当中的所述目标存储器晶胞施加所述设定信号以及所述重置信号两者其中之一以产生所述读取电流的步骤还包括对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，以及所述读取电流具有第二读取电流值，其中所述参考电流具有第二参考电流值，比较所述读取电流与所述参考电流的步骤还包括比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，以及若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤还包括判断所述目标存储器晶胞为失败，其中若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤还包括判断所述目标存储器晶胞为不失败。14.根据权利要求10所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第二状态，对所述多个存储器晶胞当中的所述目标存储器晶胞施加所述设定信号以及所述重置信号两者其中之一以产生所述读取电流的步骤包括对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，以及所述读取电流具有第二读取电流值，其中所述参考电流具有第二参考电流值，比较所述读取电流与所述参考电流的步骤包括比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，以及若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤包括判断所述目标存储器晶胞为失败。15.根据权利要求14所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤还包括判断所述目标存储器晶胞为不失败。16.根据权利要求14所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，对所述多个存储器晶胞当中的所述目标存储器晶胞施加所述设定信号以及所述重置信号两者其中之一以产生所述读取电流的步骤还包括对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，所述读取电流具有第一读取电流值，其中所述参考电流具有第一参考电流值，比较所述读取电流与所述参考电流的步骤还包括比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，若所述第一读取电流值大于所述第一参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤还包括判断所述目标存储器晶胞为失败，若所述第二读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败的步骤还包括判断所述目标存储器晶胞为不失败。

百度查询： 华邦电子股份有限公司 存储器存储装置及其测试方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD