申请/专利权人：深圳三地一芯电子有限责任公司

申请日：2020-08-24

公开（公告）日：2020-11-20

公开（公告）号：CN111966300A

主分类号：G06F3/06(20060101)

分类号：G06F3/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.25#授权;2020.12.08#实质审查的生效;2020.11.20#公开

摘要：本发明公开了一种节省主控SRAM的存储器数据写入方法及装置，该方法包括：接收待写入的数据，对接收数据的数据长度进行监测；判断数据长度是否小于等于第一阈值；若接收数据的数据长度小于等于第一阈值，则将接收数据写入存储单元；若接收数据的数据长度大于第一阈值，则将数据长度为第一阈值的接收数据存储到缓存，将大于第一阈值的数据长度的接收数据部分存储至主控SRAM中，检测到数据传输结束后，将缓存中的数据写入存储单元，再将主控SRAM中的数据写入存储单元。本发明实施例将NANDFlash的cache当作主控的数据缓存区域，减少主控需要SRAM的同时不影响写入数据的速度。

主权项：1.一种节省主控SRAM的存储器数据写入方法,其特征在于,所述方法包括：接收待写入的数据，对接收数据的数据长度进行监测；判断数据长度是否小于等于第一阈值；若接收数据的数据长度小于等于第一阈值，则将接收数据写入存储单元；若接收数据的数据长度大于第一阈值，则将数据长度为第一阈值的接收数据存储到缓存，将大于第一阈值的数据长度的接收数据部分存储至主控SRAM中，检测到数据传输结束后，将缓存中的数据写入存储单元，再将主控SRAM中的数据写入存储单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳三地一芯电子有限责任公司 一种节省主控SRAM的存储器数据写入方法及装置

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