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【发明公布】微透镜阵列的形成方法_晶芯成(北京)科技有限公司_202011136464.7 

申请/专利权人:晶芯成(北京)科技有限公司

申请日:2020-10-22

公开(公告)日:2020-11-20

公开(公告)号:CN111965741A

主分类号:G02B3/00(20060101)

分类号:G02B3/00(20060101);H01L27/146(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.01.29#授权;2020.12.08#实质审查的生效;2020.11.20#公开

摘要:本发明提供了一种微透镜阵列的形成方法,包括提供晶圆,所述晶圆上形成有微透镜层且包括若干个芯片;依次在所述芯片上进行滴光刻胶作业;对所述芯片上的光刻胶进行气体吹扫,以调整所述光刻胶的形貌;对所述光刻胶进行固化、烘烤后进行光刻作业,以在所述芯片上形成特定形貌的光刻胶掩模;以及将所述光刻胶掩模的形貌转移至所述微透镜层,以在所述晶圆上形成具有与所述光刻胶掩模的形貌相对应的微透镜阵列。本发明通过采用步进式光刻胶涂布方法依次在晶圆上的芯片进行点胶,且在点胶过程中通过气体吹扫调整光刻胶的形貌,并将光刻胶的形貌转移至微透镜层以形成具有特定形貌的微透镜阵列,实现CRA优化,减小像差。

主权项:1.一种微透镜阵列的形成方法,其特征在于,包括:提供晶圆,所述晶圆上形成有微透镜层且所述晶圆包括若干个芯片;依次在所述芯片上的像素区进行滴光刻胶作业;对所述芯片上的所述光刻胶进行气体吹扫,以调整所述光刻胶的形貌;对所述光刻胶进行固化、烘烤;进行光刻作业,以在所述芯片上形成光刻胶掩模;以及,将所述光刻胶掩模的形貌转移至所述微透镜层,以在所述晶圆上形成具有与所述光刻胶掩模的形貌相对应的微透镜阵列;其中,对所述芯片上的所述光刻胶进行气体吹扫的过程包括:对所述光刻胶进行第一次气体吹扫,使所述光刻胶平铺于所述像素区;对所述光刻胶进行第二次气体吹扫,根据所要形成的微透镜阵列的形貌对所述光刻胶的形貌做相应调整。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 晶芯成(北京)科技有限公司 微透镜阵列的形成方法

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