申请/专利权人：合肥晶合集成电路有限公司

申请日：2019-01-18

公开（公告）日：2020-11-20

公开（公告）号：CN111211039B

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H01L21/762(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.20#授权;2020.06.23#实质审查的生效;2020.05.29#公开

摘要：本发明提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。通过在沟槽中填充含氧绝缘层，并进一步注入硼离子以形成氧化硼，从而可利用含氧化硼的含氧绝缘层构成沟槽隔离结构的绝缘材料，相当于提高了沟槽隔离结构其绝缘材料的绝缘性能，有利于同时改善沟槽隔离结构的隔离性能与填沟能力。

主权项：1.一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成至少一沟槽，所述沟槽的形成方法包括：形成一掩膜层在所述衬底上，并形成图形化的光刻胶层在所述掩膜层上；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述掩膜层和部分衬底，以形成至少一沟槽，所述沟槽贯穿所述掩膜层并延伸至所述衬底中，并且所述沟槽的开口尺寸从沟槽顶部至沟槽底部逐渐减小，以使所述沟槽具有倾斜侧壁；填充含氧绝缘层在所述衬底的所述沟槽中，所述含氧绝缘层还覆盖所述掩膜层的顶表面，以使所述含氧绝缘层具有凸出于所述沟槽的凸出部，以及所述含氧绝缘层填充在所述沟槽中的部分构成填充部；执行离子注入工艺，以注入硼离子至所述含氧绝缘层中的所述填充部中，所述硼离子与所述含氧绝缘层中的氧结合形成氧化硼；执行退火工艺，在执行所述退火工艺的过程中，所述凸出部遮盖所述填充部；以及，形成绝缘介质层在所述沟槽中的所述含氧绝缘层上，并且所述绝缘介质层顶表面高出衬底顶表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路有限公司 沟槽隔离结构的形成方法

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