申请/专利权人：苏州凤凰芯电子科技有限公司

申请日：2020-06-05

公开（公告）日：2020-11-20

公开（公告）号：CN211980620U

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/329(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.20#授权

摘要：本实用新型涉及一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，在第一导电类型重掺杂衬底上设第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上表面内设呈阶梯形结构的第二导电类型体区，第二导电类型体区的宽度从下往上呈逐层增大设置，在第一导电类型外延层与第二导电类型体区的上表面设有氧化层与肖特基金属层，在肖特基金属层和氧化层的左端结合界面下方以及右端结合界面下方均设有一个第二导电类型体区，在肖特基金属层和氧化层的左右两端结合界面之间还至少设有一个第二导电类型体区，在衬底的下表面设有欧姆金属层。本实用新型可以达到提高器件耐压能力、降低反偏电压时的漏电电流、增强抗浪涌能力，进一步优化器件的可靠性。

主权项：1.一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，包括平面型肖特基金属区和氧化层保护区，平面型肖特基金属区位于器件的中心区；所述平面型肖特基金属区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）的上表面的第一导电类型外延层（2），其特征是：在第一导电类型外延层（2）的上表面内设有呈阶梯形结构的第二导电类型体区（3），第二导电类型体区（3）的宽度从下往上呈逐层增大设置，每个第二导电类型体区（3）均由第二导电类型材料（4）构成，在第一导电类型外延层（2）与第二导电类型体区（3）的上表面设有氧化层（5）与肖特基金属层（6），氧化层（5）包围肖特基金属层（6），在肖特基金属层（6）和氧化层（5）的左端结合界面下方以及右端结合界面下方均设有一个第二导电类型体区（3），在肖特基金属层（6）和氧化层（5）的左右两端结合界面之间还至少设有一个第二导电类型体区（3），在第一导电类型重掺杂衬底（1）的下表面设有欧姆金属层（7）；所述肖特基金属层（6）作为器件的阳极，欧姆金属层（7）作为器件的阴极。

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