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【实用新型】带隙基准电路_浙江驰拓科技有限公司_202021132496.5 

申请/专利权人:浙江驰拓科技有限公司

申请日:2020-06-17

公开(公告)日:2020-11-20

公开(公告)号:CN211979542U

主分类号:G05F3/26(20060101)

分类号:G05F3/26(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.11.20#授权

摘要:本实用新型提供一种带隙基准电路,包括:核心电路以及启动PMOS管;所述启动PMOS管的源极与所述核心电路的电压源连接;所述启动PMOS管的漏极与所述核心电路的运放的反向输入端电连接;所述启动PMOS管的栅极与所述核心电路的电流源电连接,并从所述电流源获取偏置电压。本实用新型能够确保带隙基准电路的正确启动和稳定运行。

主权项:1.一种带隙基准电路,其特征在于,包括:核心电路以及启动PMOS管;所述启动PMOS管的源极与所述核心电路的电压源连接;所述启动PMOS管的漏极与所述核心电路的运放的反向输入端电连接;所述启动PMOS管的栅极与所述核心电路的电流源电连接,并从所述电流源获取偏置电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江驰拓科技有限公司 带隙基准电路

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